[發明專利]有測試模式判斷電路的半導體存儲器

無效

• 申請號: 00119953.6
• 申請日: 2000-06-30
• 公開（公告）號: CN1303101A
• 公開（公告）日: 2001-07-11
• 發明（設計）人: 伊藤孝;月川靖彥;有富謙悟;朝倉干雄
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: G11C11/401
• 分類號: G11C11/401;G11C11/4078;G11C29/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,葉愷東

1．一種有存儲單元陣列(10)的半導體存儲器，其特征在于備有：

測試模式判斷電路(26)，該測試模式判斷電路(26)在行地址選通信號(/RAS)被激活之前，在寫啟動信號(/WE)及列地址選通信號(/CAS)被激活時，根據地址關鍵字激活測試模式進入信號(TME)，在該測試模式進入信號(TME)被激活期間內，在行地址選通信號(/CAS)被激活之前，在寫啟動信號(/WE)及列地址選通信號(/CAS)被激活時，根據地址關鍵字有選擇地將多個測試模式信號(TM1～TM4)激活；以及

對應于多個測試模式信號(TM1～TM4)設置的多個測試控制電路(281～284)，各測試控制電路響應對應的測試模式信號，對半導體存儲器進行預定的測試。

2．根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征在于：上述測試模式判斷電路(26)激活上述測試模式信號(TM1～TM4)中的一個信號，并連續激活該測試模式信號，再激活另一個測試模式信號。

3．根據權利要求2所述的半導體存儲器，其特征在于：上述測試模式判斷電路(26)禁止激活這樣的測試模式信號，即該測試模式信號用來進行不能與響應于上述連續激活的測試模式信號而進行的測試同時進行的測試。

4．根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征在于：上述半導體存儲器還備有刷新裝置(36)，該刷新裝置(36)在上述測試模式進入信號(TME)未被激活期間內，在行地址選通信號(/RAS)被激活之前，在寫啟動信號(/WE)及列地址選通信號(/CAS)被激活時，刷新上述存儲單元陣列(10)。

5．根據權利要求4所述的半導體存儲器，其特征在于：上述刷新裝置(36)在上述測試模式進入信號(TME)被激活期間內，在行地址選通信號(/RAS)被激活之前，在寫啟動信號(/WE)及列地址選通信號(/CAS)被激活時，根據地址關鍵字刷新上述存儲單元陣列(10)??。

6．根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征在于：

上述多個測試模式信號(TM1～TM4)被分成多個組，

上述測試模式判斷電路(26)根據地址關鍵字，不激活上述各組的測試模式信號。

7．根據權利要求6所述的半導體存儲器，其特征在于：上述測試模式判斷電路(26)根據地址關鍵字，連續激活上述各組的測試模式信號。

8．根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征在于：

上述測試模式判斷電路(26)包括：

在行地址選通信號(/RAS)被激活之前，在寫啟動信號(/WE)及列地址選通信號(/CAS)被激活時，將檢測器啟動信號(TMSETD)激活的單穩多諧振蕩電路(380)；

響應上述檢測器啟動信號(TMSETD)，檢測作為地址關鍵字輸入的高電壓的高電壓檢測器(381、382)；以及

在上述檢測器啟動信號(TMSETD)未被激活時，對地址關鍵字進行譯碼的譯碼電路(40)。