[發明專利]磁記錄媒體的制造方法無效
| 申請號： | 00109215.4 | 申請日： | 1994-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN1285585A | 公開（公告）日： | 2001-02-28 |
| 發明（設計）人： | 高橋研 | 申請（專利權）人： | 高橋研 |
| 主分類號： | G11B5/851 | 分類號： | G11B5/851 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人： | 黃劍鋒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 記錄 媒體 制造 方法 | ||
1、一種磁記錄媒體的制造方法，其在基體表面利用濺射法來形成強磁性金屬層，其特征在于，其成膜時所用的Ar氣的雜質濃度為10ppb以下。
2、如權利要求1所述的磁記錄媒體的制造方法，其特征在于，上述Ar氣的雜質濃度為100ppt以下。
3、如權利要求1或2所述的磁記錄媒體的制造方法，其特征在于，在形成上述強磁性金屬層之前，利用高頻濺射法對上述基體表面進行清潔處理，把上述基體表面除掉0.2～1毫微米。
4、如權利要求1至3中任一項所述的磁記錄媒體的制造方法，其特征在于，在形成上述強磁性金屬層時所用的靶，雜質濃度為30ppm以下。
5、如權利要求1至4中任一項所述的磁記錄媒體的制造方法，其特征在于，在形成上述金屬底層和(或)強磁性金屬層時，在上述基體上加負偏壓。
6、如權利要求5所述的磁記錄媒體的制造方法，其特征在于，上述負偏壓為-100V～400V。
7、如權利要求6所述的磁記錄媒體的制造方法，其特征在于，形成上述金屬底層和(或)強磁性金屬層的成膜室，達到的真空度為8×10-8乇(Torr)以下。
8、如權利要求7所述的磁記錄媒體的制造方法，其特征在于，形成上述金屬底層和(或)強磁性金屬層時，上述基體的表面溫度為60℃-150℃。
9、如權利要求1至8中任一項所述的磁記錄媒體的制造方法，其進一步的特征在于，在上述基體表面上形成非磁性層。
10、如權利要求1至9中任一項所述的磁記錄媒體的制造方法，其特征在于，上述基體的表面光潔度Ra為3毫微米以下。
11、如權利要求1至10中任一項所述的磁記錄媒體的制造方法，其特征在于，上述基體的表面光潔度Ra為1毫微米以下。
12、如權利要求1至11中任一項所述的磁記錄媒體的制造方法，其特征在于，在形成上述金屬層底層和(或)強磁性金屬層時，所用的氣體，是在Ar氣中至少混入N2氣和H2氣中的一種氣體。
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