[發(fā)明專利]具有IC芯片的磁頭懸置裝配體的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00108956.0 | 申請日: | 2000-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN1274908A | 公開(公告)日: | 2000-11-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 白石一雅;和田健;川合滿好 | 申請(專利權(quán))人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | G11B5/127 | 分類號: | G11B5/127;G11B21/16 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 鄭中軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 ic 芯片 磁頭 懸置 裝配 制造 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種用于磁盤裝置的磁頭懸置裝配體的制造方法,該裝配體包括:滑座,該滑座至少具有一薄膜磁頭元件;彈性懸置裝置,該裝置用于支承滑座和磁頭IC芯片。
在這種磁盤裝置中,用于對磁盤寫入磁信息和/或讀取磁信息的薄膜磁頭元件,通常是在滑座上制出,該滑座工作過程中在旋轉(zhuǎn)著的磁盤之上掠過。滑座由懸置裝置支承,該懸置裝置由彈性薄金屬片制成,該金屬片從磁盤裝置之每一可移動臂的一端延伸。
近來,磁盤的記錄頻率迅速增加以滿足當(dāng)今磁盤裝置日益迅速增長的數(shù)據(jù)存儲容量和存儲密度的需求。為了實(shí)現(xiàn)更高的頻率記錄,推薦一種磁頭懸置裝配體裝置,該裝置具有一種懸置裝置,用于支承滑座和磁頭元件所用驅(qū)動器電路的磁頭IC芯片兩者。根據(jù)這種裝置,由于從驅(qū)動器電路至磁頭元件的導(dǎo)線長度可以縮短,從導(dǎo)線產(chǎn)生的不必要噪聲可以有效地遏制,從而導(dǎo)致高頻記錄特性的改善。
在制造這種磁盤裝置中,根據(jù)一種傳統(tǒng)的方法,每一磁頭IC芯片是安裝并連接在一連接導(dǎo)體上,該連接導(dǎo)體在懸置裝置上用逆流低溫焊接(reflow?soldering)工藝叩焊芯片(flip?chip)焊接制成。在執(zhí)行逆流低溫焊接工藝前,將焊接劑施加在連接導(dǎo)體上,然后將帶有低溫焊接材料凸球(bump?ball)的IC芯片用低溫焊接連接。更具體地說,稱為C4(Controlled?Collapse?Chip?Connection--受控壓平芯片連接)的工藝過程包括下列步驟:(a)焊接劑施加過程,(b)扣焊芯片焊接過程,(c)逆流低溫焊接過程,(d)清洗過程,(e)干燥過程,和(f)底層填料的噴射和充填過程,這些步驟是依次執(zhí)行的。
正如將要指出的,如果扣焊芯片的焊接是使用焊接劑用逆流低溫焊接進(jìn)行,在連接之后需要清洗過程。即,在逆流加熱焊接時,焊接劑被施加在懸置裝置上焊接IC芯片的部位,以便在逆流低溫焊接過程中促進(jìn)焊料的熔化和將IC芯片臨時粘接在懸置裝置上。然而,由于所施加的焊接劑可能有例如產(chǎn)生氣體之類的不利影響,焊接之后必須清洗。
希望將底層填料填入懸置裝置上連接導(dǎo)體和磁頭IC芯片間的間隙,以改善熱輻射特性、改善此區(qū)域的機(jī)械強(qiáng)度、并覆蓋IC芯片的一部分。然而,這種底層填料的填充必須在清洗步驟之后進(jìn)行。因此,根據(jù)傳統(tǒng)的制造方法,在IC芯片焊接在懸置裝置的連接導(dǎo)體上,并在隨后進(jìn)行的清洗步驟結(jié)束之后,借助于噴射將底層填料充填入連接導(dǎo)體和磁頭IC芯片之間的縫隙。
不過,將底層填料通過噴射充填入極窄的縫隙是很困難的,這種縫隙通常為50μm或更小。因此,工作時間和檢測時間變長,導(dǎo)致作為整個制造時間中加工處理時間周期變長,也使制造成本進(jìn)一步增高。
因此,本發(fā)明的目的之一在于提供一種磁頭懸置裝配體的制造方法,以使工作時間和檢測時間可以縮短,且檢測可以簡化。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種磁頭懸置裝配體的制造方法,以使制造成本可以降低。
根據(jù)本發(fā)明,一種磁頭懸置裝配體的制造方法包括:將底層填料設(shè)置在薄膜磁頭元件所用具有電路的IC芯片將要安裝的部位;將IC芯片放置在所設(shè)置的底層填料上;進(jìn)行IC芯片的超聲粘接。
此外,根據(jù)本發(fā)明提供了一種磁頭懸置裝配體的制造方法,該裝配體包括:磁頭滑座,具有至少一薄膜磁頭元件;支承件,用于支承磁頭滑座;IC芯片,具有用于至少一薄膜磁頭元件的電路;導(dǎo)線元件(lead?conductor?element),IC芯片焊接在其上;底層填料,充填在IC芯片的底面和導(dǎo)線元件之間的縫隙內(nèi)。此方法包括:將底層填料設(shè)置在導(dǎo)線元件上IC芯片安裝的部位;隨后,將IC芯片和導(dǎo)線元件用超聲焊接。
由于底層填料的充填,可以在IC芯片焊接之前,只通過將底層材料附著而完成,底層填料的充填可極為簡單。結(jié)果,工作時間和檢測時間可以縮短,且檢測過程可以簡化。于是,制造成本可以降低。
感謝超聲焊接,它不需要使抗熱應(yīng)力性能差的IC芯片通過高溫逆流爐。因此,磁頭懸置裝配體成品的可靠性可以改進(jìn),磁頭懸置裝配體的產(chǎn)量也可以提高。此外,由于沒有需要很長處理時間的逆流低溫焊接過程,工作時間可更為縮短。
此外,不用逆流低溫焊接就不需要清洗過程。磁頭從磁盤表面掠過時,保持某一空間方位姿態(tài)以保證滑座與磁盤表面間極小的縫隙。為保證這種姿態(tài),即使在清洗過程之后,仍能保證每一用于支承滑座的懸置裝置成一彎曲角是非常重要的。由于清洗液體噴射或清洗液體超聲振動在清洗過程中的作用,不改變懸置裝置的彎曲角就難于清洗裝配體。然而,根據(jù)本發(fā)明,由于不進(jìn)行清洗,上述問題肯定得以消除。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于TDK株式會社,未經(jīng)TDK株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/00108956.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:非水電解液二次電池
- 下一篇:光穩(wěn)定的化妝品遮光組合物





