[發明專利]具有IC芯片的磁頭懸置裝配體的制造方法

無效

• 申請號: 00108956.0
• 申請日: 2000-05-24
• 公開（公告）號: CN1274908A
• 公開（公告）日: 2000-11-29
• 發明（設計）人: 白石一雅;和田健;川合滿好
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: G11B5/127
• 分類號: G11B5/127;G11B21/16
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 鄭中軍

1.一種磁頭懸置裝配體的制造方法，該方法包括下列步驟：

將底層填料設置在將要安裝IC芯片的部位，該芯片具有用于薄膜磁頭元件的電路；

將所述IC芯片設置在所設置的底層填料上；和

進行所述IC芯片的超聲焊接。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述方法還包括，在所述超聲焊接前，在所述IC芯片的第一連接端子上制成Au或Cu凸起。

3.如權利要求2所述的方法，其中，所述制成Au或Cu凸起的步驟包括在所述第一連接端子上使用Au或Cu球制成Au或Cu凸起。

4.如權利要求2所述的方法，其中，所述方法還包括在所述超聲焊接前，制成Au或Cu墊片作為第二連接端子的步驟，所述IC芯片的所述第一連接端子焊接在該第二連接端子上。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述方法還包括在所述超聲焊接前，在第二連接端子上制成Au或Cu凸起的步驟，所述IC芯片的第一端子焊接在該第二連接端子上。

6.如權利要求5所述的方法，其中，所述制成Au或Cu凸起的步驟包括在所述第二連接端子上用Au或Cu球制成Au或Cu凸起。

7.如權利要求5所述的方法，其中，所述方法還包括在所述超聲焊接前，制成Au或Cu墊片作為所述IC芯片的所述第一連接端子。

8.如權利要求1所述的方法，其中，所述底層填料的設置步驟包括將底層填料滴在所述IC芯片將要安裝的部位。

9.如權利要求8所述的方法，其中，所述滴底層填料的執行，應使所設置的底層填料的中央部具有向上凸起的上部。

10.一種磁頭懸置裝配體的制造方法，該裝配體包括：一磁頭滑座，該滑座具有至少一薄膜磁頭元件；支承元件，用于支承所述磁頭滑座；IC芯片，該芯片具有電路，用于所述至少一薄膜磁頭元件；導線元件，所述IC芯片焊接在其上；和底層填料，充填在所述IC芯片底面和所述導線元件間縫隙中，所述方法包括下列步驟：

將底層填料設置在所述導線元件上之所述IC芯片安裝部位；和

隨后，對所述IC芯片和所述導線元件進行超聲焊接。

11.如權利要求10所述的方法，其中，所述導線元件具有在所述支承元件上制成的第一部和延伸出所述支承元件的第二部，其中，所述安裝位置處于所述導線元件的所述第一部內。

12.如權利要求10所述的方法，其中，所述導線元件具有在所述支承元件上制成的第一部和延伸出所述支承元件的第二部，其中，所述安裝位置處于所述導線元件的所述第二部內。

13.如權利要求10所述的方法，其中，所述方法還包括在所述超聲焊接前，在所述IC芯片的第一連接端子制成Au或Cu凸起的步驟。

14.如權利要求13所述的方法，其中，所述制成Au或Cu凸起的步驟還包括在所述第一連接端子上用Au或Cu球制成Au或Cu凸起。

15.如權利要求13所述的方法，其中，所述所述方法還包括在所述超聲焊接前，制成Au或Cu墊片作為第二連接端子的步驟，所述IC芯片的所述第一連接端子焊接在該第二連接端子上。

16.如權利要求10所述的方法，其中，所述方法還包括在超聲焊接前，在第二連接端子上制成Au或Cu凸起的步驟，所述IC芯片的第一端子焊接在該第二連接端子上。

17.如權利要求16所述的方法，其中，所述制成Au或Cu凸起的步驟包括在所述第二連接端子上用Au或Cu球制成Au或Cu凸起。

18.如權利要求16所述的方法，其中，所述方法還包括在所述超聲焊接前，制成Au或Cu墊片作為所述IC芯片的所述第一連接端子。

19.如權利要求10所述的方法，其中，所述底層填料的設置步驟包括將底層填料滴在所述導線元件的所述安裝部位。

20.如權利要求19所述的方法，其中，所述滴底層填料的執行，應使所設置的底層填料的中央部具有向上凸起的上部。