[發明專利]多晶粒模組器件

無效

• 申請號: 00105879.7
• 申請日: 2000-04-18
• 公開（公告）號: CN1318864A
• 公開（公告）日: 2001-10-24
• 發明（設計）人: 陳慶豐
• 申請（專利權）人: 北京普羅強生半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L25/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、本發明是提供一種多晶粒模組器件，是多個單元在絕緣基片上電聯接的器件；其特征在于：

其引腳采用國際標準并構筑在絕緣基片上的單元全部或部份電極形成引出接線柱，且為該絕緣基片和封裝基片間的電聯接在該絕緣基片端部單面或雙面形成接腳金屬層并結合上述引腳對端部加工，使其可直接用于封裝基片的結構；

2、權利要求1所述之多晶粒模組器件，其中該絕緣基片層可多層化；

3、權利要求1所述之多晶粒模組器件，其中該絕緣基片上的電聯接加入絕緣層，可進行多重布線；

4、權利要求1所述之多晶粒模組器件，其中該絕緣基片與封裝基片之電聯接的金屬層可以單面或雙面聯接；

5、權利要求4所述之雙面金屬層，其通過兩絕緣，可作為兩引腳使用；

6、權利要求4所述之雙面金屬層，其可以綜合單面或雙面使用；

7、權利要求1所述之多晶粒模組器件，其中該絕緣基片的某一面，如用其反面做為電氣布線使用，其導電金屬的厚度可以部分或全部不同；

8、權利要求1所述之多晶粒模組器件，其中該接線柱電極的絕緣基片和單元表面間空間(空隙)，考慮熱傳導的因素，可進行適當之絕緣物填充；

9、權利要求1所述之多晶粒模組器件，其中該絕緣基片的單面可部分或全部用作密度性散熱應用；

10、權利要求1所述之多晶粒模組器件，其中該絕緣基片可在表面裝置元件。