[發明專利]半導體放大電路和半導體駐極體電容擴音器

無效

• 申請號: 00104109.6
• 申請日: 2000-03-09
• 公開（公告）號: CN1290998A
• 公開（公告）日: 2001-04-11
• 發明（設計）人: 竹內孝信;大林義昭;安田護;佐伯真一;大澤周治
• 申請（專利權）人: 星電器制造株式會社;三菱電機株式會社
• 主分類號: H03F1/00
• 分類號: H03F1/00;H04R19/01
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 錢慰民

本發明涉及一種抗猝發噪聲影響的半導體放大電路，以及具有該電路的半導體駐極體電容擴音器。

駐極體電容擴音器廣泛用作數字手提電話的擴音器等。

如圖10所示，傳統在駐極體電容擴音器基本上包括振動膜2，它是一層高聚物駐極體薄膜，與圓環(ring)粘連在一起；背電極3，它與振動膜2的相對；間隔器4，它內插在背電極3和圓環1之間，用于在振動膜2和背電極3之間開拓一個空間；背電極支撐器5，用于支撐背電極3；IC芯片61、62，它們固定在印刷電路板8上；以及外殼7，用于容納上述器件。在該圖中，標號9是前布。

電容器由振動膜2和背電極3組成，并且通過振動膜2振動改變電容器的電容，由此將聲音轉化成話音信號，然后放大和發送該信號。對于放大這一信號的電路，廣泛使用如圖11所示的半導體放大電路。

該電路由電壓轉換電路A和放大電路B組成構成，其中電壓轉換電路A用于將話音信號轉換成電壓信號并輸出，而放大電路B用于放大由電壓轉換電路A輸入的電壓信號并輸出。電壓轉換電路A形成于IC芯片61中，而放大電路B形成于IC芯片62中。在該圖中，Vdd表示電源電壓端，GND是接地電壓端，Vout1是電壓轉換電路A的輸出端，而Vout是放大電路B的輸出端。

但是，在此現有技術中，半導體放大電路易受猝發噪聲的影響。也就是說，在數字手提電話(TDMA系統)中建立的射頻振蕩器是猝發噪聲的源(RF猝發信號)，并且由射頻振蕩器發出的猝發噪聲會進入電源線或導線，并且較大的猝發成分(猝發工作頻率：200-400Hz)將出現在半導體放大電路的輸出信號中。特別是，放大電路B的輸入信號線被暴露時，并且放大電路B放大了侵入該線路的猝發噪聲，對于降低駐極體電容擴音器或手提電話本身中的噪聲來說，這會引起嚴重的問題。

如果放大電路20的輸出級設置噪聲阻斷電容，那么對低程度的猝發噪聲是有效的，但不能充分抑制噪聲，并且它會帶來一個附加的問題，即從降低的成本的角度，它會增加部件數。

在此背景下產生了本發明。因此，本發明的一個目的是提供一種可以抗猝發噪聲影響的半導體放大電路和半導體駐極體電容電話。

本發明的半導體放大電路是用于放大和發送弱信號的電路，它包括：電壓轉換電路，用于接收弱信號，并且將該信號作為電壓信號輸出；和放大電路，用于接收電壓轉換電路輸出的電壓信號，并且放大和發送該信號，其中電壓轉換電路和放大電路形成于同一個半導體芯片中。

依照此結構，由于放大電路的輸入端隱藏在半導體芯片中，所以猝發信號幾乎不能進入放大電路。

電壓轉換電路最好包括結型或MOS型FET，FET的源極接地，柵極接收弱信號；還包括一電阻，電阻連接在FET的漏極和電源線之間，用于將FET的漏電流轉換成電壓，并且將其作為電壓信號輸出。

最好，電壓轉換電路包括結型或MOS型的第一FET，其柵極接收弱信號，而其源極接地；第二FET，其源極和漏極連接在第一FET的漏極和電源線之間，用于將源電壓作為電壓信號輸出；以及參考電壓發生電路，用于接收電源線上的電源電壓，產生參考電壓，并將其發送給第二FET的柵極。

在該結構中，如果因猝發噪聲進入電源線等而改變電源電壓，那么盡管第二FET的源電壓會起伏，但由于饋送到第二FET之柵極的參考電壓同時也會起伏，所以第二FET之源電壓的改變程度小于電源電壓。因此，如果猝發噪聲進入電源線等，進入放大電路的猝發噪聲也是很小的。

放大電路最好包括用于從外部調節該電路增益的增益調節電路。這是因為通過對放大電路進行增益調節可以緩解電壓轉換電路的離散性。

最好，在放大電路的輸出端和電源線和／或接地線之間，提供用晶體管形成的用于防沖擊的電容器。因此，如果因猝發噪聲的影響而在放大電路的輸出端出現較大的猝發成分，那么電容器可以阻斷它。

本發明的半導體駐極體電容擴音器是這樣一種器件，其中電容器由振動膜和背電路組成，通過振動膜的振動改變電容器的電容，從而將話音轉換成話音信號，并且放大和發送該信號，用上述任何一種半導體放大電路放大話音信號。

在該半導體駐極體電容擴音器中，在其中形成有半導體放大電路的半導體芯片的上面，提供起背電極作用的電極層。

圖1是一電路圖，示出了本發明半導體放大電路的一個實施例。

圖2是一電路圖，示出了其修改形式。

圖3是一截面示意圖，示出了本發明半導體駐極體電容擴音器的實施例。

圖4是一示意圖，示出了擴音器外殼的解剖透視示意圖。