[發(fā)明專利]半導(dǎo)體放大電路和半導(dǎo)體駐極體電容擴(kuò)音器

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 00104109.6
• 申請(qǐng)日: 2000-03-09
• 公開（公告）號(hào): CN1290998A
• 公開（公告）日: 2001-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 竹內(nèi)孝信;大林義昭;安田護(hù);佐伯真一;大澤周治
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 星電器制造株式會(huì)社;三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03F1/00
• 分類號(hào): H03F1/00;H04R19/01
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 錢慰民

1．一種用于放大和發(fā)送弱信號(hào)的半導(dǎo)體放大電路，其特征在于，所述半導(dǎo)體放大電路包括：電壓轉(zhuǎn)換電路，用于接收所述弱信號(hào)，并且將該信號(hào)作為電壓信號(hào)輸出；和放大電路，用于接收所述電壓轉(zhuǎn)換電路輸出的電壓信號(hào)，并且放大和發(fā)送該信號(hào)，其中所述電壓轉(zhuǎn)換電路和放大電路形成于同一個(gè)半導(dǎo)體芯片中。

2．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體放大電路，其特征在于，所述電壓轉(zhuǎn)換電路包括：結(jié)型或MOS型FET，F(xiàn)ET的源極接地，柵極接收所述弱信號(hào)；和一電阻，所述電阻連接在FET的漏極和電源線之間，用于將FET的漏電流轉(zhuǎn)換成電壓，并且將其作為電壓信號(hào)輸出。

3．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體放大電路，其特征在于，所述電壓轉(zhuǎn)換電路包括結(jié)型或MOS型的第一FET，其柵極接收所述弱信號(hào)，而其源極接地；第二FET，其源極和漏極連接在第一FET的漏極和電源線之間，用于將源電壓作為電壓信號(hào)輸出；以及參考電壓發(fā)生電路，用于接收電源線上的電源電壓，產(chǎn)生參考電壓，并將其發(fā)送給第二FET的柵極。

4．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體放大電路，其特征在于，所述放大電路包括用于從外部調(diào)節(jié)該電路增益的增益調(diào)節(jié)電路。

5．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體放大電路，其特征在于，在放大電路的輸出端和電源線和／或接地線之間，提供用晶體管形成的用于防沖擊的電容器。

6．一種半導(dǎo)體駐極體電容擴(kuò)音器，其特征在于，電容器由振動(dòng)膜和背電路組成，通過振動(dòng)膜的振動(dòng)改變電容器的電容，從而將話音轉(zhuǎn)換成話音信號(hào)，并且放大和發(fā)送該信號(hào)，用如權(quán)利要求1-5中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體放大電路放大所述話音信號(hào)。

7．如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體駐極體電容擴(kuò)音器，其特征在于，其中在形成有所述半導(dǎo)體放大電路的半導(dǎo)體芯片的上面，提供起所述背電極作用的電極層。