[發明專利]固體電解電容器及其制造方法

有效

• 申請號: 00102331.4
• 申請日: 2000-02-16
• 公開（公告）號: CN1264137A
• 公開（公告）日: 2000-08-23
• 發明（設計）人: 和田友英;島田博司;小畑康弘
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01G9/15
• 分類號: H01G9/15
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 章鳴玉

1.固體電解電容器，所述電容器具備以下6個部分，具有電容器元件部分、禁止帶和陽極引出部分的陽極體，前述禁止帶用來分隔前述電容器元件部分和前述元件引出部分、具有設置在前述電容器元件部分和前述陽極引出部分間的邊界部分；設置在前述電容器元件部分的電介質氧化膜層；設置在前述電介質氧化膜層上的導電性高分子層；設置在前述導電性高分子層上的導電體層；與前述陽極引出部分通電相連的陽極端子；與前述導電體層通電相連的陰極端子。

2.如權利要求1所述的固體電解電容器，其中前述陽極體具有表面粗化層和多孔層中的至少1種凹凸層。

3.如權利要求1所述的固體電解電容器，其中前述陽極體具有形成表面粗化層和多孔層中的至少1種凹凸層的閥作用金屬。

4.如權利要求1所述的固體電解電容器，其中前述陽極體具有表面粗化層和多孔層中的至少1種凹凸層，前述凹凸層具有凹部和凸部，前述禁止帶具有設置在前述凹部表面和前述凸部表面的聚硅氧烷層。

5.如權利要求1所述的固體電解電容器，其中前述陽極體具有表面粗化層和多孔層中的至少1種凹凸層，前述凹凸層具有凹部和凸部，前述禁止帶具有設置在前述凹部表面和前述凸部表面的聚硅氧烷層，前述聚硅氧烷層具有聚硅氧烷二聚物～二十聚物范圍內的聚硅氧烷的低分子聚硅氧烷。

6.如權利要求1所述的固體電解電容器，其中前述陽極體中包括具有表面粗化層和多孔層中的至少1種凹凸層的閥作用金屬，前述禁止帶具有表面積小于前述凹凸層表面積的加工部分，前述加工部分具有對前述凹凸層進行壓縮加工而形成的壓縮層。

7.如權利要求1所述的固體電解電容器，其中前述陽極體中包括具有表面粗化層和多孔層中的至少1種凹凸層的閥作用金屬，前述禁止帶具有表面積小于前述凹凸層表面積的加工部分，前述加工部分具有對前述凹凸層進行熔融加工而形成的熔融凝縮層。

8.如權利要求1所述的固體電解電容器，其中前述陽極體中包括具有表面粗化層和多孔層中的至少1種凹凸層的閥作用金屬，前述凹凸層具有凹部和凸部，前述禁止帶具有通過除去前述凸部而形成的分斷溝。

9.如權利要求1所述的固體電解電容器，其中前述陽極體中包括具有表面粗化層和多孔層中的至少1種凹凸層的閥作用金屬，前述閥作用金屬為箔狀。

10.如權利要求1所述的固體電解電容器，其中前述陽極體中包括具有表面粗化層和多孔層中的至少1種凹凸層的閥作用金屬，前述閥作用金屬選自鋁、鉭、鈮、鋯、鈦，至少包含2種上述金屬的復合體，以及至少包含2種上述金屬的合金中的至少1種。

11.如權利要求1所述的固體電解電容器，其中前述導電性高分子層具有利用電解氧化聚合而形成的生成物。

12.如權利要求1所述的固體電解電容器，其中前述導電性高分子層具有5元環化合物及其衍生物中的至少1種單體和作為摻雜劑的芳基磺酸的利用電解氧化聚合而形成的生成物。

13.如權利要求1所述的固體電解電容器，所述電容器還具備設置于前述禁止帶的分隔材料。

14.如權利要求1所述的固體電解電容器，所述電容器還具備設置于前述禁止帶的分隔材料，前述陽極體具有表面粗化層和多孔層中的至少1種凹凸層，前述凹凸層具有凹部和凸部，前述分隔材料具有包括耐熱性膠帶材料、設置于前述耐熱性膠帶材料的聚硅氧烷系粘合劑在內的膠帶，前述禁止帶具有前述聚硅氧烷系粘合劑設置在前述凹部和前述凸部表面的聚硅氧烷擴散層。

15.如權利要求1所述的固體電解電容器，所述電容器還具備設置于前述禁止帶的分隔材料，前述陽極體具有表面粗化層和多孔層中的至少1種凹凸層，前述凹凸層具有凹部和凸部，前述分隔材料具有包括耐熱性膠帶材料、設置于前述耐熱性膠帶材料的聚硅氧烷系粘合劑在內的膠帶，前述禁止帶具有前述聚硅氧烷系粘合劑設置在前述凹部和前述凸部表面的聚硅氧烷擴散層，前述聚硅氧烷層具有聚硅氧烷二聚物～二十聚物范圍內的聚硅氧烷的低分子聚硅氧烷。