[發明專利]固體電解電容器及其制造方法

有效

• 申請號: 00102331.4
• 申請日: 2000-02-16
• 公開（公告）號: CN1264137A
• 公開（公告）日: 2000-08-23
• 發明（設計）人: 和田友英;島田博司;小畑康弘
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01G9/15
• 分類號: H01G9/15
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 章鳴玉

本發明涉及具有固體電解質層的固體電解電容器及其制造方法。

以往，這種固體電解電容器具有圖8所示結構。圖8中，固體電解電容器具備包括陽極引出部分2和電容器元件部分3的閥作用金屬5、設置在前述閥作用金屬上的電介質氧化膜、設置在前述電介質氧化膜上的導電性高分子層、設置在前述導電性高分子上的導電體層、陽極端子6、陰極端子7和外封裝樹脂8。閥作用金屬5具有經過腐蝕處理的表面粗化層或多孔層。陽極引出部分2和電容器元件部分3通過設置在閥作用金屬表面的分隔材料1互相分隔。電介質氧化膜通過陽極氧化而形成。陽極端子6與陽極引出部分2通電相連。陰極端子7與導電體層通電相連。外封裝樹脂8包覆整個電容器元件，通過模壓成型而覆蓋。

形成導電性高分子層的公知方法包括通過使用了單體的電解氧化聚合而形成的方法，以及利用化學氧化聚合而形成的方法。電解氧化聚合法是指在預先形成于電介質氧化膜上的二氧化錳層表面形成導電性高分子層的方法?；瘜W氧化聚合法是指直接在電介質氧化膜表面形成導電性高分子層的方法。

但是，圖8所示的固體電解電容器中，具有表面粗化層或多孔層的閥作用金屬通過分隔材料1被分隔成陽極引出部分2和電容器元件部分3，一旦導電性高分子層通過表面粗化層或多孔層的空隙4與陽極引出部分2接觸，就會發生絕緣不良的現象，或者絕緣性被破壞。因此，提出了增大分隔材料1的寬度或使用具有高粘合性的材料作為閥作用金屬的方法。但是，即使在這種情況下，在進行數量較多的批量生產時也難以獲得始終穩定的生產效果，而且，不易獲得穩定的低絕緣不良率，且成本較高。

本發明提供了一種固體電解電容器及其制造方法，該電容器具有能夠以比較簡單的方法進行生產、可防止因導電性高分子層與陽極引出部分接觸而造成的絕緣不良的發生、可防止絕緣性被破壞、以往的生產性不會受到影響等效果。

本發明的固體電解電容器具備以下6個部分，即具有電容器元件部分、禁止帶和陽極引出部分的陽極體，前述禁止帶用來分隔前述電容器元件部分和前述元件引出部分、具有設置在前述電容器元件部分和前述陽極引出部分間的邊界部分；設置在前述電容器元件部分的電介質氧化膜層；設置在前述電介質氧化膜層上的導電性高分子層；設置在前述導電性高分子層上的導電體層；與前述陽極引出部分通電相連的陽極端子；與前述導電體層通電相連的陰極端子。

特別理想的狀態是，前述陽極體具有表面粗化層和多孔層中的至少一種凹凸層。

特別理想的狀態是，前述陽極體具有形成了表面粗化層和多孔層中的至少一種的閥作用金屬。

特別理想的狀態是，前述固體電解電容器還具備設置在前述禁止帶上的分隔材料。

本發明的固體電解電容器的制造方法包括以下7個步驟：

(a)提供陽極體，

(b)為了形成電容器元件部分和陽極引出部分的邊界部分，在前述陽極體上形成禁止帶，

(c)在前述電容器元件部分形成電介質氧化膜，

(d)在前述電介質氧化膜上形成導電性高分子層，

(e)在前述導電性高分子層上形成導電體層，

(f)使陽極端子與前述陽極引出部分通電相連，

(g)使陰極端子與前述導電體層通電相連。

特別理想的狀態是，前述提供陽極體的步驟中包括在前述陽極體表面形成表面粗化層和多孔層中的至少一種凹凸層的步驟。

特別理想的狀態是，前述陽極體具有閥作用金屬，提供前述陽極體的步驟中包括在前述陽極體表面形成表面粗化層和多孔層中的至少一種凹凸層的步驟。

特別理想的狀態是，前述方法中包括在前述禁止帶上設置分隔材料的步驟。

利用上述構成，能夠以比較簡單的制造方法，獲得具有與以往相同或更好的電性能的固體電解電容器?？煞乐挂驅щ娦愿叻肿訉优c陽極引出部分接觸而造成的絕緣不良?？煞乐菇^緣性被破壞。而且，不會影響以往的生產性。即獲得了具有以上效果的固體電解電容器及其制造方法。