[實用新型]一種在CVD設(shè)備中檢測基板破片的裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220169285.8 | 申請日： | 2012-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN202658227U | 公開（公告）日： | 2013-01-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張明 | 申請（專利權(quán)）人： | 彩虹(佛山)平板顯示有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/44 | 分類號： | C23C16/44;G01N21/88 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人： | 田洲 |
| 地址： | 528300 廣東省佛*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 cvd 設(shè)備 檢測 破片 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種在CVD設(shè)備中檢測基板破片的裝置，其特征在于，包括裝載腔室(1)，裝載腔室(1)的入口(2)的上方設(shè)有若干CCD鏡頭裝置(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在CVD設(shè)備中檢測基板破片的裝置，其特征在于，所述若干CCD鏡頭裝置(3)排列成一排。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在CVD設(shè)備中檢測基板破片的裝置，其特征在于，所述CCD鏡頭裝置(3)設(shè)置于入口(2)上方10cm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在CVD設(shè)備中檢測基板破片的裝置，其特征在于，入口(2)下方設(shè)置有LED光源(4)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在CVD設(shè)備中檢測基板破片的裝置，其特征在于，所述CCD鏡頭裝置(3)還連接有顯示裝置。
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗設(shè)備、驗證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)
