1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成半導體層；

在所述半導體層遠離所述基板的一側形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層遠離所述基板的一側形成柵極層；

在所述柵極層遠離所述基板的一側形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層遠離所述基板的一側形成第一金屬層；

在垂直于所述基板的方向上形成貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第一金屬層的第一過孔和第二過孔，所述第一過孔和所述第二過孔在所述基板上的正投影分別位于所述柵極層的兩側；

在所述第一金屬層遠離所述基板的一側形成第二金屬層，其中，所述第二金屬層分別通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述半導體層連接，以及所述第一金屬層通過所述第二金屬層與所述半導體層連接。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述柵極層遠離所述基板的一側形成第二絕緣層，包括：

在所述柵極層遠離所述基板的一側，通過化學氣相沉淀形成所述第二絕緣層。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在垂直于所述基板的方向上形成貫穿所述第一絕緣層、第二絕緣層和所述第一金屬層的第一過孔和第二過孔，包括：

在所述第一金屬層遠離所述基板的一側形成光刻膠膜層；

在所述光刻膠膜層遠離所述基板的一側覆蓋掩膜版；

對所述光刻膠膜層進行曝光；

移除所述掩膜版；

對所述光刻膠層進行顯影處理，以使所述光刻膠膜層形成指定圖案；

利用具有指定圖案的所述光刻膠膜層，對所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第一金屬層進行刻蝕處理，以在垂直于所述基板的方向上形成貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第一金屬層的第一過孔和第二過孔；

將具有指定圖案的所述光刻膠膜層移除。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在垂直于所述基板的方向上形成貫穿所述第一絕緣層、第二絕緣層和所述第一金屬層的第一過孔和第二過孔之后，且在所述第一金屬層遠離所述基板的一側形成第二金屬層之前，所述制造方法還包括：

清洗所述半導體層上殘留的所述第一絕緣層。

5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括：

在所述第一金屬層和所述第二金屬層構成的膜層上圖案化形成第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分之間相互不連接，所述第一過孔在所述基板上的正投影位于所述第一部分在所述基板上的正投影內，所述第二過孔在所述基板上的正投影位于所述第三部分在所述基板上的正投影內，所述第二部分在所述基板上的正投影位于所述第一部分和所述第三部分在所述基板上的正投影之間，所述第二部分在所述基板上的正投影與所述柵極層在所述基板上的正投影相互交疊。

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括：

在所述第一金屬層和所述第二金屬層構成的膜層上圖案化形成第一部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分之間相互不連接，所述第一過孔在所述基板上的正投影位于所述第一部分在所述基板上的正投影內，所述第二過孔在所述基板上的正投影位于所述第三部分在所述基板上的正投影內，所述第一部分和所述第三部分在所述基板上的正投影都不與所述柵極層在所述基板上的正投影交疊。

7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一金屬層和/或第二金屬層通過物理磁控濺鍍形成。

8.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層的材料包括鉬、鋁、銅、鈦、銀和金屬氧化物中的至少一種。

9.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，

所述第一金屬層的厚度h1的取值范圍為：10nm≤h1≤900nm；

所述第二金屬層的厚度h2的取值范圍為：15nm≤h1≤900nm。