[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710631958.4
• 申請(qǐng)日: 2017-07-28
• 公開（公告）號(hào): CN107393831B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林永祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢天馬微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/786;G02F1/1368
• 代理公司: 北京匯思誠業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444
• 代理人: 王剛;龔敏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示面板。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有技術(shù)中，在制作薄膜晶體管的過程中，當(dāng)制作完過孔后，需要對(duì)殘留在半導(dǎo)體層上少量無機(jī)物進(jìn)行清洗，以避免薄膜晶體管的源極和漏極通過過孔與半導(dǎo)體層連接時(shí)出現(xiàn)的接觸不良的現(xiàn)象，但是在對(duì)半導(dǎo)體層上殘留的無機(jī)物進(jìn)行清洗時(shí)，由于殘留的無機(jī)物與覆蓋在柵極層上的絕緣層的材料相同，因此該絕緣層也會(huì)與清洗劑發(fā)生反應(yīng)，使該絕緣層上出現(xiàn)孔洞，當(dāng)該孔洞較深時(shí)，在該絕緣層遠(yuǎn)離柵極層的一側(cè)制作金屬層時(shí)，該金屬層會(huì)通過孔洞與柵極層短接，使得該薄膜晶體管無法使用，因此通過上述現(xiàn)有技術(shù)制作薄膜晶體管時(shí)，薄膜晶體管的良率較低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示面板，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中，在制作薄膜晶體管時(shí)，薄膜晶體管的良率較低的問題。

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制造方法，所述制造方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成柵極層；

在所述柵極層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成第一金屬層；

在垂直于所述基板的方向上形成貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第一金屬層的第一過孔和第二過孔，所述第一過孔和所述第二過孔在所述基板上的正投影分別位于所述柵極層的兩側(cè)；

在所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成第二金屬層，其中，所述第二金屬層分別通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述半導(dǎo)體層連接，以及所述第一金屬層通過所述第二金屬層與所述半導(dǎo)體層連接。

可選地，所述在所述柵極層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成第二絕緣層，包括：

在所述柵極層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，通過化學(xué)氣相沉淀形成所述第二絕緣層。

可選地，所述在垂直于所述基板的方向上形成貫穿所述第一絕緣層、第二絕緣層和所述第一金屬層的第一過孔和第二過孔，包括：

在所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成光刻膠膜層；

所述光刻膠膜層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)覆蓋掩膜版；

對(duì)所述光刻膠膜層進(jìn)行曝光；

移除所述掩膜版；

對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行顯影處理，以使所述光刻膠膜層形成指定圖案；

利用具有指定圖案的所述光刻膠膜層，對(duì)所述第一絕緣層、第二絕緣層和所述第一金屬層進(jìn)行刻蝕處理，以在垂直于所述基板的方向上形成貫穿所述第一絕緣層、第二絕緣層和所述第一金屬層的第一過孔和第二過孔；

將具有指定圖案的所述光刻膠膜層移除。

可選地，在垂直于所述基板的方向上形成貫穿所述第一絕緣層、第二絕緣層和所述第一金屬層的第一過孔和第二過孔之后，且在所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成第二金屬層之前，所述制造方法還包括：

清洗所述半導(dǎo)體層上殘留的所述第一絕緣層。

可選地，所述制造方法還包括：

在所述第一金屬層和所述第二金屬層構(gòu)成的膜層上圖案化形成第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分之間相互不連接，所述第一過孔在所述基板上的正投影位于所述第一部分在所述基板上的正投影內(nèi)，所述第二過孔在所述基板上的正投影位于所述第三部分在所述基板上的正投影內(nèi)，所述第二部分在所述基板上的正投影位于所述第一部分和所述第三部分在所述基板上的正投影之間，所述第二部分在所述基板上的正投影與所述柵極層在所述基板上的正投影相互交疊。

可選地，所述制造方法還包括：

在所述第一金屬層和所述第二金屬層構(gòu)成的膜層上圖案化形成第一部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分之間相互不連接，所述第一過孔在所述基板上的正投影位于所述第一部分在所述基板上的正投影內(nèi)，所述第二過孔在所述基板上的正投影位于所述第三部分在所述基板上的正投影內(nèi)，所述第一部分和所述第三部分在所述基板上的正投影都不與所述柵極層在所述基板上的正投影交疊。

可選地，所述第一金屬層和/或第二金屬層通過物理磁控濺鍍形成。

可選地，所述第一金屬層和所述第二金屬層的材料包括鉬、鋁、銅、鈦、銀和金屬氧化物中的至少一種。

可選地，所述第一金屬層的厚度h1的取值范圍為：10nm≤h1≤900nm；

所述第二金屬層的厚度h2的取值范圍為：15nm≤h1≤900nm。