技術領域

本實用新型涉及太陽能電池制造技術領域，尤其涉及一種板式PECVD機臺。

背景技術

常規的化石燃料日益消耗殆盡，在現有的可持續能源中，太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。太陽能發電裝置又稱為太陽能電池或光伏電池，可以將太陽能直接轉換成電能，其發電原理是基于半導體PN結的光生伏特效應。太陽能發電裝置的核心是電池片，目前絕大多數都采用硅片制成。

為了提升光伏電池的市場競爭力，急需降低電池片的發電成本，而裸硅片的成本已經占整個電池片加工成本的50％以上，因此，降低裸硅片的成本已經勢在必行，而減少硅片厚度則是有效降低硅片成本的有效方法之一。但隨著硅片厚度的降低，將會有更多的長波段太陽光穿透過硅片，不能被硅片吸收利用，對效率有所損失；因此，在電池片生產過程中，需要在電池片的半成品電池即硅片的表面鍍上一層減反射膜。

目前，采用等離子體增強化學氣相沉積方法(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)，使氣體在硅片表面發生化學反應并形成覆蓋層，即減反射膜。此減反射膜的主要作用是：降低反射率、良好的體鈍化和表面鈍化，以及利用氮化硅薄膜的強致密性和耐多數酸堿性，在硅片表面形成保護層。

現有技術中，用于PECVD方法中的板式PECVD機臺，如圖1所示，包括傳輸滾輪3’，沿著傳輸滾輪3’的上傳輸方向依次排放的進料腔4’、預熱腔5’、第一工藝腔6’、冷卻腔9’、出料腔10’，待加工的硅片1’放置于石墨框2’上，石墨框2’放置在傳輸滾輪3’上，通過傳輸滾輪3’帶動待加工的硅片1’依次經過進料腔4’、預熱腔5’、第一工藝腔6’、冷卻腔9’、出料腔10’后，形成電池片，其結構如圖2所示，包括硅片1’，硅片1’的正面有絨面11’，絨面11’以上有正面氮化硅層12’，硅片1’的背面有鋁背場13’，由此可見，通過該機臺生產的電池片，只在硅片的正面形成正面氮化硅層13’，僅僅實現正面光的反射，而背面光的反射無法通過該機臺實現，這就需要額外的設備單獨加工實現，使得加工設備需要的數量較多，加工過程繁瑣。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提出一種板式PECVD機臺，能夠實現正面氮化硅和背面氮化硅的加工，制備得到的電池片能夠雙面反射光，從而有效提升背光吸收率。

為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：

一種板式PECVD機臺，包括放置有石墨框的傳輸滾輪，沿著所述傳輸滾輪的上傳輸方向依次排放的進料腔、預熱腔、用于在硅片的正面絨面的正面形成正面氮化硅層的第一工藝腔、冷卻腔以及出料腔，

所述第一工藝腔與所述冷卻腔之間還設置有用于在硅片的背面形成背面氮化硅層的第二工藝腔，所述第二工藝腔與所述冷卻腔之間還設置有用于在硅片的背面氮化硅層的背面形成背面二氧化硅層的第三工藝腔；

待加工的硅片放置在所述石墨框上，并沿著所述傳輸滾輪的上傳輸方向依次經過所述進料腔、所述預熱腔、所述第一工藝腔、所述第二工藝腔、所述第三工藝腔、所述冷卻腔及所述出料腔。

作為一種優選方式，所述第二工藝腔中通入有氨氣和硅烷氣體，且所第二工藝腔中配有第一微波激發裝置。

優選的，經所述第二工藝腔沉積的所述背面氮化硅層的厚度為50～100nm，折射率為2.30～2.60。

進一步優選的，所述背面氮化硅層的厚度為80nm，折射率為2.50。

作為一種優選方式，所述第三工藝腔中通入有硅烷和笑氣，且所第三工藝腔中配有第二微波激發裝置。

優選的，所述第三工藝腔沉積的所述背面二氧化硅層的厚度為20～50nm，折射率為1.45～1.70。

進一步優選的，所述背面二氧化硅層的厚度為30nm，折射率為1.65。

本實用新型的有益效果為：