[實用新型]一種板式PECVD機臺有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720154337.7 | 申請日： | 2017-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN206591180U | 公開（公告）日： | 2017-10-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 袁中存;黨繼東 | 申請（專利權）人： | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/52 | 分類號： | C23C16/52;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人： | 張海英,林波 |
| 地址： | 215129 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 板式 pecvd 機臺 | ||
1.一種板式PECVD機臺，其特征在于，包括放置有石墨框(2)的傳輸滾輪(3)，沿著所述傳輸滾輪(3)的上傳輸方向依次排放的進料腔(4)、預熱腔(5)、用于在硅片(1)的正面絨面(11)的正面形成正面氮化硅層(12)的第一工藝腔(6)、冷卻腔(9)以及出料腔(10)，
所述第一工藝腔(6)與所述冷卻腔(9)之間還設置有用于在硅片(1)的背面形成背面氮化硅層(14)的第二工藝腔(7)，所述第二工藝腔(7)與所述冷卻腔(9)之間還設置有用于在硅片(1)的背面氮化硅層(14)的背面形成背面二氧化硅層(15)的第三工藝腔(8)；
待加工的硅片(1)放置在所述石墨框(2)上，并沿著所述傳輸滾輪(3)的上傳輸方向依次經過所述進料腔(4)、所述預熱腔(5)、所述第一工藝腔(6)、所述第二工藝腔(7)、所述第三工藝腔(8)、所述冷卻腔(9)及所述出料腔(10)。
2.根據權利要求1所述的板式PECVD機臺，其特征在于，所述第二工藝腔(7)中通入有氨氣和硅烷氣體，且所第二工藝腔(7)中配有第一微波激發(fā)裝置。
3.根據權利要求2所述的板式PECVD機臺，其特征在于，經所述第二工藝腔(7)沉積的所述背面氮化硅層(14)的厚度為50～100nm，折射率為2.30～2.60。
4.根據權利要求3所述的板式PECVD機臺，其特征在于，所述背面氮化硅層(14)的厚度為80nm，折射率為2.50。
5.根據權利要求1所述的板式PECVD機臺，其特征在于，所述第三工藝腔(8)中通入有硅烷和笑氣，且所第三工藝腔(8)中配有第二微波激發(fā)裝置。
6.根據權利要求5所述的板式PECVD機臺，其特征在于，所述第三工藝腔(8)沉積的所述背面二氧化硅層(15)的厚度為20～50nm，折射率為1.45～1.70。
7.根據權利要求6所述的板式PECVD機臺，其特征在于，所述背面二氧化硅層(15)的厚度為30nm，折射率為1.65。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
