[發(fā)明專利]晶圓生產(chǎn)監(jiān)控方法、系統(tǒng)與電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110761390.4 | 申請日： | 2021-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN113488414B | 公開（公告）日： | 2023-10-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 宋文康 | 申請（專利權(quán)）人： | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人： | 孫寶海;袁禮君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 生產(chǎn) 監(jiān)控 方法 系統(tǒng) 電子設(shè)備 | ||
1.一種晶圓生產(chǎn)監(jiān)控方法，其特征在于，包括：
在生產(chǎn)晶圓經(jīng)過多個工藝站點到達(dá)光刻工藝站點后，獲取所述生產(chǎn)晶圓當(dāng)前層與參考層的多個套刻誤差；
將所述多個套刻誤差滿足預(yù)設(shè)條件的所述生產(chǎn)晶圓標(biāo)記為待檢晶圓；
在所述待檢晶圓的數(shù)量達(dá)到第一預(yù)設(shè)值時，根據(jù)每個所述生產(chǎn)晶圓中的所述多個套刻誤差的特征確定待檢工藝站點，所述待檢工藝站點為對全部所述生產(chǎn)晶圓的套刻誤差特征影響最大的工藝站點；
根據(jù)所述待檢工藝站點中的多個機臺與所述待檢晶圓的對應(yīng)關(guān)系在所述待檢工藝站點中確定待檢機臺。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取所述生產(chǎn)晶圓當(dāng)層與前層的套刻誤差包括獲取所述生產(chǎn)晶圓當(dāng)前層與參考層的套刻誤差圖像，所述根據(jù)每個所述生產(chǎn)晶圓中的所述多個套刻誤差的特征確定待檢工藝站點包括：
根據(jù)多個所述生產(chǎn)晶圓的所述套刻誤差圖像確定至少一個套刻誤差特征；
確定目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的套刻誤差圖像與所述套刻誤差特征的相關(guān)度，所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓為多個所述生產(chǎn)晶圓中的任意一個；
根據(jù)所述相關(guān)度最大的所述套刻誤差特征確定所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的待識別特征；
獲取所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓在所述多個工藝站點的多個工藝誤差特征；
確定所述多個工藝誤差特征與所述待識別特征的相似度，將所述相似度最大的工藝誤差特征對應(yīng)的工藝站點確定為對所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的套刻誤差特征影響最大的目標(biāo)工藝站點。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的套刻誤差圖像與所述套刻誤差特征的相關(guān)度包括：所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的套刻誤差圖像對每個所述套刻誤差特征的貢獻(xiàn)因子。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的套刻誤差圖像與所述套刻誤差特征的相關(guān)度包括：每個所述套刻誤差特征對所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的套刻誤差圖像的貢獻(xiàn)因子。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述相關(guān)度最大的所述套刻誤差特征確定所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的待識別特征包括：
在最大的所述相關(guān)度大于等于第二預(yù)設(shè)值時，確定最大的所述相關(guān)度對應(yīng)的套刻誤差特征在所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的套刻誤差圖像中的對應(yīng)區(qū)域為所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的待識別特征；
在最大的所述相關(guān)度小于所述第二預(yù)設(shè)值時，判斷所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓不存在待識別特征。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)每個所述生產(chǎn)晶圓中的所述套刻誤差特征確定待檢工藝站點包括：
根據(jù)每個所述生產(chǎn)晶圓對應(yīng)的目標(biāo)工藝站點確定每個所述工藝站點作為目標(biāo)工藝站點的次數(shù)；
將所述次數(shù)最大的所述工藝站點確定為所述待檢工藝站點。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述多個套刻誤差滿足預(yù)設(shè)條件的所述生產(chǎn)晶圓標(biāo)記為待檢晶圓包括：
在所述多個套刻誤差的平均值超過第三預(yù)設(shè)值時，將所述生產(chǎn)晶圓標(biāo)記為待檢晶圓。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓生產(chǎn)監(jiān)控方法，其特征在于，所述將所述多個套刻誤差滿足預(yù)設(shè)條件的所述生產(chǎn)晶圓標(biāo)記為待檢晶圓包括：
確定所述多個套刻誤差中超過第四預(yù)設(shè)值的超標(biāo)套刻誤差的數(shù)量；
在所述超標(biāo)套刻誤差的數(shù)量超過第五預(yù)設(shè)值時，將所述生產(chǎn)晶圓確定為待檢晶圓。
9.如權(quán)利要求1所述的晶圓生產(chǎn)監(jiān)控方法，其特征在于，所述根據(jù)所述待檢晶圓與所述待檢工藝站點中的多個機臺的對應(yīng)關(guān)系在所述待檢工藝站點中確定待檢機臺包括：
確定所述待檢工藝站點中每個機臺對應(yīng)的待檢晶圓數(shù)量；
將對應(yīng)的待檢晶圓數(shù)量最多的機臺確定為所述待檢機臺。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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