[發(fā)明專利]晶圓生產(chǎn)監(jiān)控方法、系統(tǒng)與電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110761390.4
• 申請日: 2021-07-06
• 公開（公告）號: CN113488414B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋文康
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;G03F9/00
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 孫寶海;袁禮君

1.一種晶圓生產(chǎn)監(jiān)控方法，其特征在于，包括：

在生產(chǎn)晶圓經(jīng)過多個工藝站點到達(dá)光刻工藝站點后，獲取所述生產(chǎn)晶圓當(dāng)前層與參考層的多個套刻誤差；

將所述多個套刻誤差滿足預(yù)設(shè)條件的所述生產(chǎn)晶圓標(biāo)記為待檢晶圓；

在所述待檢晶圓的數(shù)量達(dá)到第一預(yù)設(shè)值時，根據(jù)每個所述生產(chǎn)晶圓中的所述多個套刻誤差的特征確定待檢工藝站點，所述待檢工藝站點為對全部所述生產(chǎn)晶圓的套刻誤差特征影響最大的工藝站點；

根據(jù)所述待檢工藝站點中的多個機臺與所述待檢晶圓的對應(yīng)關(guān)系在所述待檢工藝站點中確定待檢機臺。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取所述生產(chǎn)晶圓當(dāng)層與前層的套刻誤差包括獲取所述生產(chǎn)晶圓當(dāng)前層與參考層的套刻誤差圖像，所述根據(jù)每個所述生產(chǎn)晶圓中的所述多個套刻誤差的特征確定待檢工藝站點包括：

根據(jù)多個所述生產(chǎn)晶圓的所述套刻誤差圖像確定至少一個套刻誤差特征；

確定目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的套刻誤差圖像與所述套刻誤差特征的相關(guān)度，所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓為多個所述生產(chǎn)晶圓中的任意一個；

根據(jù)所述相關(guān)度最大的所述套刻誤差特征確定所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的待識別特征；

獲取所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓在所述多個工藝站點的多個工藝誤差特征；

確定所述多個工藝誤差特征與所述待識別特征的相似度，將所述相似度最大的工藝誤差特征對應(yīng)的工藝站點確定為對所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的套刻誤差特征影響最大的目標(biāo)工藝站點。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的套刻誤差圖像與所述套刻誤差特征的相關(guān)度包括：所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的套刻誤差圖像對每個所述套刻誤差特征的貢獻(xiàn)因子。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的套刻誤差圖像與所述套刻誤差特征的相關(guān)度包括：每個所述套刻誤差特征對所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的套刻誤差圖像的貢獻(xiàn)因子。

5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述相關(guān)度最大的所述套刻誤差特征確定所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的待識別特征包括：

在最大的所述相關(guān)度大于等于第二預(yù)設(shè)值時，確定最大的所述相關(guān)度對應(yīng)的套刻誤差特征在所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的套刻誤差圖像中的對應(yīng)區(qū)域為所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓的待識別特征；

在最大的所述相關(guān)度小于所述第二預(yù)設(shè)值時，判斷所述目標(biāo)生產(chǎn)晶圓不存在待識別特征。

6.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)每個所述生產(chǎn)晶圓中的所述套刻誤差特征確定待檢工藝站點包括：

根據(jù)每個所述生產(chǎn)晶圓對應(yīng)的目標(biāo)工藝站點確定每個所述工藝站點作為目標(biāo)工藝站點的次數(shù)；

將所述次數(shù)最大的所述工藝站點確定為所述待檢工藝站點。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述多個套刻誤差滿足預(yù)設(shè)條件的所述生產(chǎn)晶圓標(biāo)記為待檢晶圓包括：

在所述多個套刻誤差的平均值超過第三預(yù)設(shè)值時，將所述生產(chǎn)晶圓標(biāo)記為待檢晶圓。

8.如權(quán)利要求1所述的晶圓生產(chǎn)監(jiān)控方法，其特征在于，所述將所述多個套刻誤差滿足預(yù)設(shè)條件的所述生產(chǎn)晶圓標(biāo)記為待檢晶圓包括：

確定所述多個套刻誤差中超過第四預(yù)設(shè)值的超標(biāo)套刻誤差的數(shù)量；

在所述超標(biāo)套刻誤差的數(shù)量超過第五預(yù)設(shè)值時，將所述生產(chǎn)晶圓確定為待檢晶圓。

9.如權(quán)利要求1所述的晶圓生產(chǎn)監(jiān)控方法，其特征在于，所述根據(jù)所述待檢晶圓與所述待檢工藝站點中的多個機臺的對應(yīng)關(guān)系在所述待檢工藝站點中確定待檢機臺包括：

確定所述待檢工藝站點中每個機臺對應(yīng)的待檢晶圓數(shù)量；

將對應(yīng)的待檢晶圓數(shù)量最多的機臺確定為所述待檢機臺。