[其他]矩形雙島硅膜結構過壓保護型壓力傳感器無效
| 申請號： | 88201030 | 申請日： | 1988-01-28 |
| 公開（公告）號： | CN88201030U | 公開（公告）日： | 1988-09-07 |
| 發明（設計）人： | 吳憲平;于連忠 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | G01L1/18 | 分類號： | G01L1/18;G01L1/20 |
| 代理公司： | 復旦大學專利事務所 | 代理人： | 陸飛 |
| 地址： | 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本實用新型屬半導體壓力傳感器領域。其芯片結構特征為，在硅膜背面有由各向異性腐蝕形成的兩個對稱矩形硅島，硅島端面與器件襯底之間有一層間隙，硅膜正面相應于雙島之間的溝槽部位和島與邊框之間的溝槽部位設置力敏電阻，該組電阻聯結成惠斯頓電橋。這種結構的壓力傳感器特點為靈敏度高，線性度好，并有過壓保護功能，可廣泛用于各種工業和醫用測壓系統，尤其是低壓測量系統。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 矩形 雙島硅 膜結構 保護 壓力傳感器 | ||
【主權項】：
1、一種由硅膜與其上的硅島、力敏電阻、襯底組成的半導體壓力傳感器，其特征在于：(1)硅島1在硅膜2的背面，是由各向異性腐蝕形成的兩個對稱的矩形或近似矩形質量塊；(2)力敏電阻3設置在硅膜2的正面，位于兩硅島之間的中心溝槽的對應部位及硅島與硅膜邊框4側壁之間的邊緣溝槽的對應部位；(3)兩硅島的端面和器件襯底5之間有一層間隙6。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于復旦大學，未經復旦大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/88201030/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
