[其他]矩形雙島硅膜結(jié)構(gòu)過(guò)壓保護(hù)型壓力傳感器

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 88201030
• 申請(qǐng)日: 1988-01-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN88201030U
• 公開(kāi)（公告）日: 1988-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳憲平;于連忠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G01L1/18
• 分類(lèi)號(hào): G01L1/18;G01L1/20
• 代理公司: 復(fù)旦大學(xué)專(zhuān)利事務(wù)所
• 代理人: 陸飛

1、一種由硅膜與其上的硅島、力敏電阻、襯底組成的半導(dǎo)體壓力傳感器，其特征在于：

(1)硅島1在硅膜2的背面，是由各向異性腐蝕形成的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)的矩形或近似矩形質(zhì)量塊；

(2)力敏電阻3設(shè)置在硅膜2的正面，位于兩硅島之間的中心溝槽的對(duì)應(yīng)部位及硅島與硅膜邊框4側(cè)壁之間的邊緣溝槽的對(duì)應(yīng)部位；

(3)兩硅島的端面和器件襯底5之間有一層間隙6。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體壓力傳感器，其特征在于硅膜為方形，材料為（001）晶向的N型硅片，膜邊和矩形硅島的邊線(xiàn)沿〔110〕和〔110〕方向，硅島高度為150～250微米，硅島的縱向?qū)挾葹榉侥み呴L(zhǎng)的1／3～1／2，中心溝槽寬度是邊緣溝槽寬度的2.5～3.5倍。

3、根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體壓力傳感器，其特征在于：

（1）所說(shuō)的矩形或近似矩形硅島在（001）晶向硅片上對(duì)應(yīng)的腐蝕掩模圖形為在矩形的每個(gè)直角上各附加一個(gè)補(bǔ)償角的多邊形7，這些補(bǔ)償角由〈210〉晶向族中相應(yīng)的晶向組成，大小為53.13°，角邊與〔110〕或〔110〕方向夾角為18.43°；

（2）補(bǔ)償角寬度δ_c等于因各向異性腐蝕形成的矩形直角的削角寬度δ_u。

4、根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體壓力傳感器，其特征在于上述中心溝槽相應(yīng)部位的正面對(duì)稱(chēng)設(shè)置兩個(gè)力敏電阻，兩個(gè)邊緣溝槽相應(yīng)部位的正面各設(shè)置一個(gè)力敏電阻，這四個(gè)電阻的形狀、大小、取向均相同，并且聯(lián)結(jié)成惠斯頓電橋。

5、根據(jù)權(quán)利要求1或2或4的半導(dǎo)體壓力傳感器，其特征在于硅島端面與襯底表面之間的間隙6的高度為硅膜邊長(zhǎng)的0.4～0.8％。

6、根據(jù)權(quán)力要求5的半導(dǎo)體壓力傳感器，其特征在于器件襯底材料為玻片或硅片，襯底與硅膜邊框靜電封接。

7、根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體壓力傳感器，其特征為在兩個(gè)硅島底部對(duì)應(yīng)的硅片正面設(shè)置有調(diào)零補(bǔ)償電阻或訊號(hào)處理電路。