[其他]一種除去沉積在化學氣相沉積反應器反應室內的不須要的碳產物的方法無效
| 申請號： | 88101465 | 申請日： | 1988-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN88101465A | 公開（公告）日： | 1988-10-05 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | C23C16/26 | 分類號： | C23C16/26;C23C16/56 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 楊麗琴 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 沉積碳膜后清理化學氣相反應器內部。當結晶的碳或象金剛石的碳在反應室內形成時，在反應室內有不需要的沉積物。利用氧氣或氧化合物氣體而不是利用對反應器內部有損壞作用的氟或氟化合物氣體，通過侵蝕，將粘性的碳沉積除去。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 一種 除去 沉積 化學 反應器 反應 室內 須要 產物 方法 | ||
【主權項】：
1、一種通過化學氣相沉積反應器在基片上完成沉積碳膜后，除去該反應器反應室內壁上的碳沉積的侵蝕方法，所述方法的步驟是：抽空所述的反應室；向所述的反應室通入作為侵蝕氣體的氧氣或氧化合物氣體，和向所述的反應室通入電磁能，以產生從所述的侵蝕氣體中衍生出的等離子氣。
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
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C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
