[其他]一種除去沉積在化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器反應(yīng)室內(nèi)的不須要的碳產(chǎn)物的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 88101465
• 申請(qǐng)日: 1988-02-24
• 公開（公告）號(hào): CN88101465A
• 公開（公告）日: 1988-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山崎舜平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): C23C16/26
• 分類號(hào): C23C16/26;C23C16/56
• 代理公司: 中國(guó)專利代理有限公司
• 代理人: 楊麗琴

1、一種通過化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器在基片上完成沉積碳膜后，除去該反應(yīng)器反應(yīng)室內(nèi)壁上的碳沉積的侵蝕方法，所述方法的步驟是：

抽空所述的反應(yīng)室；

向所述的反應(yīng)室通入作為侵蝕氣體的氧氣或氧化合物氣體，和

向所述的反應(yīng)室通入電磁能，以產(chǎn)生從所述的侵蝕氣體中衍生出的等離子氣。

2、按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的電磁能是微波。

3、按權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，將所述的微波施加于侵蝕氣體，同時(shí)，所述的侵蝕氣體處于一個(gè)磁場(chǎng)內(nèi)。

4、按權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述的侵蝕氣體的壓力為0.1至10乇。

5、按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的電磁能是一種射頻電能。

6、按權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述的反應(yīng)室內(nèi)部受光輻射時(shí)，可完成所述的侵蝕。

7、按權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述的光輻射是紫外光輻射。

8、按權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述的反應(yīng)室的內(nèi)部被加熱到500-1000℃。

9、按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，侵蝕可在兩次碳沉積間完成。