[其他]在磁場作用下制造超導陶瓷的方法無效
| 申請號： | 88101380 | 申請日： | 1988-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN88101380A | 公開（公告）日： | 1988-10-05 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01B12/00 | 分類號： | H01B12/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,何關元 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 一種制造高Tc超導陶瓷材料的方法，該方法是將適量的化學成分混合料壓實成規定的形狀，然后將壓實后的混合料進行燒制，同時在預定方向上往壓實后的混合料施加磁場。借助于在燒制過程中施加磁場來提高分子排列的整齊性和提高轉變溫度Tc。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 磁場 作用 制造 超導 陶瓷 方法 | ||
【主權項】：
1、一種制造超導陶瓷材料的方法，其特征在于，所述方法包括在磁場作用下形成超導材料的工序。
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