[其他]在磁場作用下制造超導陶瓷的方法

無效

• 申請號: 88101380
• 申請日: 1988-03-23
• 公開（公告）號: CN88101380A
• 公開（公告）日: 1988-10-05
• 發明（設計）人: 山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01B12/00
• 分類號: H01B12/00
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖掬昌,何關元

1、一種制造超導陶瓷材料的方法，其特征在于，所述方法包括在磁場作用下形成超導材料的工序。

2、如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成工序包括將所希望的超導陶瓷材料的粉狀化學成分混合在一起，然后將該混合料壓實成超導材料。

3、如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合料系在所述形成工序過程中在磁場的作用下加熱。

4、如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述混合料是在100-900℃下加熱。

5、如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述混合料是在加熱過程中在磁場的作用下進行壓實。

6、如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁場的強度不低于500-10000高斯。

7、如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁場是在與超導材料需要通電流時相同的方向上施加到所述混合料上。

8、如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成工序包括對混合料進行壓實和對壓實后的混合料進行燒制。

9、如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成工序包括用溶劑將混合料制成流體，將流體混合料涂到一個表面上，再對表面上的混合料進行燒制。

10、如權利要求8所述的方法，其特征在于，該方法還包括，在對混合料進行最后的壓實和燒制之前，對所述混合料進行預燒制，再將預燒制后的混合料磨成粉。

11、如權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述預燒制工序之前將所述混合料壓制成小片。

12、如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述預燒制工序是在氧化氣氛中進行的。

13、如權利要求10所述的方法，其特征在于，研磨后的混合料的平均粒徑為200-3微米。

14、如權利要求13所述的方法，其特征在于，研磨后的混合料的平均粒徑為10微米或更小。

15、如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述磁場的方向是恒定的。

16、如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述磁場的方向是交變的。

17、如權利要求16所述的方法，其特征在于，所述交變磁場的頻率是工業用電頻率。

18、如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合料是按化學計算式（A_1-xB_x）_yCu_zO_w制備的，其中A是選自化學周期表Ⅲa族中的一個或一個以上的元素，B是化學周期表Ⅱa族的一個或一個以上的元素，X＝0-1，y＝2-4，Z＝1-4，W＝4-10。

19、如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合料是按化學計算式（A_1-xB_x）_yCu_zO_w制備的，其中A是選自化學周期表Ⅴb族中的一個或一個以上的元素，例如Bi、Sb和As，B是化學周期表Ⅱa族中的一個或一個以上的元素，X＝0.3-1;y＝2.0-4.0，Z＝1.0-4.0，W＝4.0-10.0。