[其他]淀積碳的微波增強化學汽相淀積(CVD)方法無效
| 申請號： | 88101061 | 申請日： | 1988-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN88101061A | 公開（公告）日： | 1988-09-07 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | C23C16/26 | 分類號： | C23C16/26;C23C16/48 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,周其裕 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種由金剛砂組成的碳膜內含有氮和硼。借助氮和硼的加入，制造出一種不會生長缺陷的金剛石，并使該薄膜與下伏表面成堅實的機械接觸。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 淀積碳 微波 增強 化學 汽相淀積 cvd 方法 | ||
【主權項】：
1、一種淀積碳的方法包括：-將一種包括有一種氣態碳化物的反應氣體引入一個反應室；-將一種電磁輻射能輸入到所述反應室中；-用所述電磁輻射能激發所述碳化物，并用一種化學汽相反應在所要涂敷的表面上淀積碳，所述方法特征在于所述反應氣體包括有氮氣或氣態氮化物。
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
