[其他]淀積碳的微波增強化學汽相淀積(CVD)方法

無效

• 申請號: 88101061
• 申請日: 1988-02-24
• 公開（公告）號: CN88101061A
• 公開（公告）日: 1988-09-07
• 發明（設計）人: 山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/48
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖掬昌,周其裕

1、一種淀積碳的方法包括：

-將一種包括有一種氣態碳化物的反應氣體引入一個反應室；

-將一種電磁輻射能輸入到所述反應室中；

-用所述電磁輻射能激發所述碳化物，并用一種化學汽相反應在所要涂敷的表面上淀積碳，

所述方法特征在于所述反應氣體包括有氮氣或氣態氮化物。

2、根據權利要求1的方法，其特征在于：其中所述電磁功率能是微波。

3、根據權利要求1的方法，其特征在于：其中所述電磁功率是一種射頻功率。

4、根據權利要求1的方法，其特征在于：其中所述反應室受到一個磁場的作用，并且在所述磁場下實現由所述微波對含有氮或氮化物的所述碳化物的激發作用。

5、根據權利要求4的方法，其特征在于：其中所述反應氣體是按混合的回旋共振方式激發的。

6、根據權利要求5的方法，其特征在于：其中在所述反應室中的壓強是在0.1托300托的范圍內選擇的。

7、根據權利要求6的方法，其中特征在于：其中所述氮化物是氨。

8、根據權利要求6的方法，其特征在于：其中所述反應氣體包括至少一種碳氫化合物。

9、根據權利要求6的方法，其特征在于：其中所淀積出的產品是一種金剛石。

10、根據權利要求6的方法，其特征在于：其中所淀積出的產品是一種i碳。

11、根據權利要求9的方法，其特征在于：其中所述反應氣體是C₂H₆、C₂H₄和/或C₂H₂。

12、一種淀積碳層用的方法，其特征包括下列步驟：

-將待涂敷以所說碳層的一種物體設置于一反應室中;

-將一種主要包括有碳化物的反應氣體送入所述反應室中，所述反應氣體含有氮或氮化物和硼化物;

-用一種電磁功率來激勵所述反應氣體;以及

-在所述物體上實現一種化學汽相淀積。

13、根據權利要求12的方法，其特征在于：其中所述電磁功率是微波。

14、根據權利要求12的方法，其特征在于：其中所述電磁功率是在一種射頻功率。

15、根據權利要求12的方法，其特征在于：其中在所述反應室中的壓強是1至760托。

16、根據權利要求15的方法，其特征在于：其中所述淀積過程是在有1千高斯或更強的磁場下實現的。

17、根據權利要求13的方法，其特征在于：其中所述微波的頻率是2.45千兆赫。

18、根據權利要求15的方法，其特征在于：其中所述反應氣體是CH₄。

19、根據權利要求15的方法，其特征在于：其中所述碳層是一種結晶層。

20、根據權利要求15的方法，其特征在于：其中所述碳層是一種微晶層。

21、根據權利要求15的方法，其特征在于：其中所述碳層是一種非晶層。

22、根據權利要求15的方法，其特征在于：其中所述碳層是重復地跟在BN薄膜的淀積之后或在BN薄膜的淀積之前淀積而成的，以便組成一種超晶格結構。