[其他]利用CMOS工藝制造雙極型晶體管無效

申請?zhí)枺?/td>	88100466	申請日：	1988-01-26
公開（公告）號：	CN88100466A	公開（公告）日：	1988-09-07
發(fā)明（設計）人：	戴維·斯普萊特;拉吉夫·R·沙漢	申請（專利權）人：	得克薩斯儀器公司
主分類號：	H01L21/18	分類號：	H01L21/18;H01L21/70;H01L29/70
代理公司：	上海專利事務所	代理人：	吳淑芳
地址：	美國得***	國省代碼：	暫無信息
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：	本發(fā)明揭示了一種雙極型晶體管，及其與MOSFET器件兼容的制造方法。晶體管本征基區(qū)(54)形成于半導體阱(22)的表層，并被一層柵氧化層(44)覆蓋。柵氧化層(44)上開出窗口，并且其上淀積摻雜多晶硅，形成與基區(qū)(54)接觸的多晶硅發(fā)射極(68)。側壁氧化層(82，84)形成于多晶硅發(fā)射極結構(68)上。集電區(qū)(90)和非本征基區(qū)(100)形成于半導體阱(22)之中，并且相對于多晶硅發(fā)射極側壁氧化層(82、84)的對側邊緣自動對齊。
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【主權項】：

1、一種制造雙極型晶體管的方法，其特征在于，它包括以下步驟：在半導體基片表面形成屬于第一導電類型的半導體阱；在所述半導體阱中形成第二導電類型的半導體基區(qū)；形成與所述半導體基區(qū)接觸的、屬于所述第一導電類型的多晶硅發(fā)射極結構，所述發(fā)射極結構具有側壁；在所述多晶硅發(fā)射極結構的所述側壁上形成絕緣體；在所述阱中形成自動對準所述發(fā)射極結構的所述絕緣體、屬于第一導電類型的半導體集電區(qū)；在所述阱中形成自動對準所述發(fā)射極結構的所述絕緣體、屬于所述第二導電類型的半導體非本征基區(qū)；以及使一種所述第一導電類型雜質進入所述基區(qū)從而形成屬于所述第一導電類型的半導體發(fā)射區(qū)。

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