[其他]利用CMOS工藝制造雙極型晶體管

無效

• 申請號: 88100466
• 申請日: 1988-01-26
• 公開（公告）號: CN88100466A
• 公開（公告）日: 1988-09-07
• 發明（設計）人: 戴維·斯普萊特;拉吉夫·R·沙漢
• 申請（專利權）人: 得克薩斯儀器公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;H01L21/70;H01L29/70
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 吳淑芳

1、一種制造雙極型晶體管的方法，其特征在于，它包括以下步驟：

在半導體基片表面形成屬于第一導電類型的半導體阱；

在所述半導體阱中形成第二導電類型的半導體基區；

形成與所述半導體基區接觸的、屬于所述第一導電類型的多晶硅發射極結構，所述發射極結構具有側壁；

在所述多晶硅發射極結構的所述側壁上形成絕緣體；

在所述阱中形成自動對準所述發射極結構的所述絕緣體、屬于第一導電類型的半導體集電區；

在所述阱中形成自動對準所述發射極結構的所述絕緣體、屬于所述第二導電類型的半導體非本征基區；以及

使一種所述第一導電類型雜質進入所述基區從而形成屬于所述第一導電類型的半導體發射區。

2、如權利要求1所述的方法，其特征在于，它還包括，形成覆蓋在所述發射極結構上以防止不需要的相反導電類型的雜質進入所述發射極結構的臨時阻擋層。

3、如權利要求1所述的方法，其特征在于，它還包括，在所述發射極結構和所述半導體基區之間形成絕緣體，在所述絕緣體的中心形成窗口，形成穿過窗口與所述半導體基區接觸的所述發射極結構。

4、如權利要求1所述的方法，其特征在于，它還包括，在所述半導體基片表面形成所述基區和所述集電區，形成覆蓋所述基區、所述集電區和所述多晶硅發射極結構的一部分以提供電接觸表面的導電硅化物。

5、如權利要求4所述的方法，其特征在于，它還包括，在所述半導體基片表面形成鄰接所述基區的所述半導體阱的一部分，形成一層金屬覆蓋所述半導體阱的一部分和所述基區的一部分，從而形成與所述雙極型晶體管的集電結并聯的勢壘二極管。

6、如權利要求3所述的方法，其特征在于，它還包括，用所述絕緣體形成MOSFET器件柵極絕緣體，用所述發射極結構的材料形成柵極導體。

7、如權利要求6所述的方法，其特征在于，它還包括，在形成所述發射極絕緣體的同時形成所述柵極絕緣體，在形成發射極結構的同時形成所述柵極導體。

8、如權利要求6所述的方法，其特征在于，它還包括，在相應的側壁絕緣體形成于所述柵極導體的同一時間用相同步驟在所述發射極結構上形成側壁絕緣體。

9、如權利要求6所述的方法，其特征在于，它還包括，當所述非本征基區形成的同時形成第一類型MOSFET器件的源區和漏區，在所述集電區形成的同時形成第二類型MOSFET器件的源區和漏區。

10、一種雙極型晶體管，其特征在于，它包括：

屬于第一導電類型的半導體阱;

覆蓋所述阱并從一端延伸到另一端的導電多晶硅帶，所述多晶硅帶的所述一端橫向延伸超出所述半導體阱;

埋在所述多晶硅帶之下的、屬第二導電類型的半導體本征基區;

形成于所述本征基區中與所述多晶硅發射極帶相接觸的半導體發射區;以及

形成于所述多晶硅發射極帶相異側的非本征基區和集電區，所述非本征基區和所述集電區與所述本征基區形成電接觸。

11、如權利要求10所述的雙極型晶體管，其特征在于，它還包括，同所述非本征基區、所述集電區和橫向超出所述半導體阱的所述多晶硅發射極帶的一部分形成接觸的各個電極。

12、如權利要求10所述的雙極型晶體管，其特征在于，它還包括下埋嵌入的發射區，該發射區包括形成于所述基區的發射區并且其寬度小于所述多晶硅發射極帶的對應寬度。

13、如權利要求10所述的雙極型晶體管，其特征在于，它還包括，處于所述多晶硅發射極帶和所述基區之間的絕緣體和在所述絕緣體中心的窗口，所述多晶硅發射極帶通過該窗口與所述基區形成接觸。

14、如權利要求10所述的雙極型晶體管，其特征在于，它還包括圍墻式發射極，該發射極包括與所述基區接觸的所述多晶硅發射極帶，并且其寬度大致等于所述多晶硅發射極帶的相應寬度。

15、如權利要求10所述的雙極型晶體管，其特征在于，它還包括，所述多晶硅發射極帶上的側壁絕緣體，并且所述非本征基區和所述集電區自動對準所述側壁絕緣體。