[其他]多源型平面磁控濺射源無效
| 申請號: | 87214297 | 申請日: | 1987-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN87214297U | 公開(公告)日: | 1988-09-21 |
| 發明(設計)人: | 王德苗;任高潮 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | C23C14/36 | 分類號: | C23C14/36;C23C14/54 |
| 代理公司: | 浙江大學專利代理事務所 | 代理人: | 連壽金 |
| 地址: | 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 一種多源型平面磁控濺射源,包含一個或多個可作旋轉運動的內磁組件(6),由若干個可拆換的異質扇形小靶拼成的陰極靶(8)。用于共濺沉積合金膜、多層膜或單質薄膜,靶材利用率達75%以上,膜層成份配比精度高,厚度均勻性好。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 多源型 平面 磁控濺射 | ||
【主權項】:
1、一種由磁場源、陰極靶、水冷器以及屏蔽罩等組成的多源型平面磁控濺射源,其特征在于該濺射源含有一個由靜止的外磁組件和一個或多個可作旋轉運動的內磁組件[6]組成的磁場源,一個由若干個異質扇形小靶拼成的圓形平面陰極靶[8],一個布置在陰極靶[8]上方、開有一個或若干個扇形孔、能與內磁組件[6]作同步運動的擋板[25],以及一個優先冷卻陰極靶[8]濺射區的水冷器。
下載完整專利技術內容需要扣除積分,VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江大學,未經浙江大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/patent/87214297/,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類





