[其他]定型單晶的生長方法無效
| 申請號: | 87108014 | 申請日: | 1987-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN87108014A | 公開(公告)日: | 1988-06-08 |
| 發明(設計)人: | 米特里·亞科夫利維奇·克拉維斯基;利夫·馬科維奇·薩圖洛斯基;利奧尼德·彼特羅維奇·埃格羅;伯里斯·本希奧諾維奇·彼爾茨;萊奧尼德·薩穆洛維奇·奧康;埃費姆·阿萊克桑德羅維奇·弗里曼;維克托爾·瓦希利維奇·阿沃亞諾;阿萊克桑德·沃維奇·阿利壽夫 | 申請(專利權)人: | 全蘇電熱工設備科研;設計;結構和工藝所 |
| 主分類號: | C30B15/00 | 分類號: | C30B15/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 唐躍 |
| 地址: | 蘇聯*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | 高熔點透明金屬化合物定型單晶制法包括利用加熱器使惰性氣氛中的原料熔化,通過成型器的毛細系統將熔體從熔化區連續輸送到結晶區中,再從內拉出單晶,最后冷卻單晶。原料熔化前,須往內加入1顆控溫用原料粒,此粒熔化之際,記錄加熱器的功率P。在原料熔化過程中,功率為(1.04—1.1)P,使晶種呈微熔態時,功率為(1.03—1.08)P,長大過程中,功率為(1.02—1.08)P,拉單晶時,功率為(1.02—1.22)P。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 定型 生長 方法 | ||
【主權項】:
1、高熔點的光學透明的金屬化合物定型單晶的生長方法,其要點如下:將相應的高熔點的金屬化合物原料在惰性氣體的氣氛中,利用加熱器(7)所釋放的熱能使之熔化,令晶種(14)在結晶區(16)內呈微熔狀態,進而讓單晶(3)長大,并將其從結晶區(16)拉制成符合所需的長度,其間須通過成型器(4)的毛細系統,并變換加熱器(7)的功率,將熔體(12)連續不斷地輸送到結晶區(16)中去,然后,使單晶(3)脫離熔體(12)并進行冷卻,本方法的特征在于,在原料熔化之前,須往結晶區(16)內加入1顆控溫的原料粒,當這顆控溫粒開始熔化之時,將加熱器(7)的功率P記錄下來,原料熔化過程中加熱器(7)的功率為(1.04-1.1)P,晶種(14)呈微熔化態時,加熱器(7)的功率為(1.03-1.08)P,單晶(3)長大過程中,加熱器(7)的功率為(1.02-1.08)P,從結晶區(16)拉制單晶(3)的過程中,加熱器的功率為(1.02-1.22)P,而單晶(3)的冷卻過程則是通過降低加熱器(7)的功率進行的,冷卻速度為每分鐘20-30℃,直至溫度降到1600-1550℃時,便將加熱器(7)的電源切斷。
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