[其他]半導體器件的制造方法無效
| 申請號: | 87107692 | 申請日: | 1987-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN87107692A | 公開(公告)日: | 1988-05-25 |
| 發明(設計)人: | 威廉N·博爾斯脫;斯查德利A·馬庫斯;林肯·耶 | 申請(專利權)人: | MT化學公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/52 |
| 代理公司: | 上海專利事務所 | 代理人: | 張綺霞 |
| 地址: | 美國新*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 本發明提供了一種半導體器件的制造方法,它包括首先將樹脂粘合劑置于引線框的小板上,然后通過迅速升溫,使粘合樹脂活化,接著再將小片放在活化的粘合劑上。以后用普通的金屬線粘結和密封工序,以提供所需的半導體器件。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 制造 方法 | ||
【主權項】:
1、一種將小片連結在襯底上的方法,其特征在于所述的方法,包括下述步驟:(a)將粘結量的聚合物型粘合劑組合物施加到襯底上;(b)然后將所說的粘合劑組合物加熱到使粘合劑活化的程度;和(c)使活化粘合劑與小片接觸,由此將所說小片連接到襯底上。
下載完整專利技術內容需要扣除積分,VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于MT化學公司,未經MT化學公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/patent/87107692/,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





