[其他]半導體器件的制造方法無效
| 申請號: | 87107692 | 申請日: | 1987-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN87107692A | 公開(公告)日: | 1988-05-25 |
| 發明(設計)人: | 威廉N·博爾斯脫;斯查德利A·馬庫斯;林肯·耶 | 申請(專利權)人: | MT化學公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/52 |
| 代理公司: | 上海專利事務所 | 代理人: | 張綺霞 |
| 地址: | 美國新*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 制造 方法 | ||
1、一種將小片連結在襯底上的方法,其特征在于所述的方法,包括下述步驟:
(a)將粘結量的聚合物型粘合劑組合物施加到襯底上;
(b)然后將所說的粘合劑組合物加熱到使粘合劑活化的程度;和
(c)使活化粘合劑與小片接觸,由此將所說小片連接到襯底上。
2、根據權利要求1所述的方法,其特征在于所說的粘合劑組合物為糊狀形式。
3、根據權利要求2所述的方法,其特征在于所說粘合劑組合物被加熱至約175℃至350℃的溫度。
4、根據權利要求3所述的方法,其特征在于所說的糊狀粘合劑包括熱固性聚合物組分。
5、根據權利要求4所述的方法,其特征在于糊狀粘合劑中的熱固性聚合物組分包括環氧樹脂或順丁烯二酰亞胺樹脂。
6、根據權利要求2所述的方法,其特征在于所說糊狀粘合劑包括熱塑性聚合物組分。
7、根據權利要求6所述的方法,其特征在于所說糊狀粘合劑中的熱塑性聚合物是熱塑性聚酰亞胺。
8、根據權利要求6或7所述的方法,其特征在于所說糊狀粘合劑約被加熱至50℃-200℃,以進行活化。
9、根據權利要求1所述的方法,其特征在于所說的粘合劑為膜狀或帶子的形式。
10、根據權利要求9所述的方法,其特征在于所說粘合劑約被加熱至175℃-350℃。
11、根據權利要求1所述的方法,其特征在于所說襯底包括一個金屬引線框。
12、根據權利要求1所述的方法,其特征在于所說襯底包括一個陶瓷襯底。
13、根據權利要求12所述的方法,其特征在于所說襯底包括一個陶瓷混合襯底。
14、根據權利要求12所述的方法,其特征在于所說襯底包括一個陶瓷殼體(package)。
15、根據權利要求1所述的方法,其特征在于所說襯底包括一個電路板。
16、根據權利要求2所述的方法,其特征在于所說粘合劑組合物包括:
5-15%樹脂;25-95%填料;0-50%溶劑。
17、根據權利要求6所述的方法,其特征在于所說粘合劑組合物包括:
5-85%熱塑性樹脂;25-75%填料;20-50%溶劑。
18、根據權利要求17所述的方法,其特征在于所說填料包括一種導電性填料。
19、根據權利要求18所述的方法,其特征在于所說導電性填料是選自由銀、金、鈀、銥、汞、釕、鋨以及它們的混合物或合金所組成的類別中的任一種金屬。
20、根據權利要求17所述的方法,其特征在于所說填料包括一種熱導性填料。
21、根據權利要求20所述的方法,其特征在于所說熱導性填料是氧化鈹。
22、根據權利要求20所述的方法,其特征在于所說的熱導性填料是氧化鋁。
23、根據權利要求1所述的方法,其特征在于由襯底、粘合劑和小片所構成的組件被進一步加熱。
24、根據權利要求1所述的方法,其特征在于所說方法以連續的方式進行。
25、一種將小片連結在金屬引線框中的方法,其特征在于所說的方法包括:
(a)將粘結量的糊狀熱塑性聚合物型粘合劑組合物置于引線框的墊板上;
(b)然后將粘合劑組合物加熱至約50℃至200℃的溫度,使粘合劑活化;
(c)將小片放到活化的粘合劑上;和
(d)也可再進一步對引線框、粘合劑和小片所構成的組件進行加熱,由此使小片粘結在引線框上。
26、根據權利要求25所述的方法,其特征在于所說的方法以連續方式進行。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





