[其他]在半導體功率元件的半導體薄片邊緣上開環形槽的方法無效
| 申請號： | 87107167 | 申請日： | 1987-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN87107167A | 公開（公告）日： | 1988-05-04 |
| 發明（設計）人： | 吉里·德勞希;奧托·庫恩;安德烈亞斯·魯格 | 申請（專利權）人： | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304;B24B9/06;B24B19/02 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,吳秉芬 |
| 地址： | 瑞士*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 一種在功率半導體元件的半導體薄片(5)邊緣上開環形槽(8)的方法，該方法首先將邊緣表面磨削，然后用邊緣制成相應輪廓線的成形砂輪(3)一次操作開出槽(8)。采用粒度適度、結合方式適當的金剛砂粒制成的金剛砂輪可以獲得高生產率。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 功率 元件 薄片 邊緣 開環 方法 | ||
【主權項】：
1、一種在半導體功率元件的半導體薄片(5)邊緣上開環形槽(8)的方法，該方法是靠機械磨削將槽刻在半導體薄片(5)上的，其特征在于：甲)首先，表面磨削半導體薄片(5)的邊緣；乙)然后，采用邊緣相應制成一定輪廓的成形砂輪(3)一次操作磨削出溝槽。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
