[其他]在半導(dǎo)體功率元件的半導(dǎo)體薄片邊緣上開環(huán)形槽的方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 87107167 | 申請(qǐng)日: | 1987-10-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN87107167A | 公開(公告)日: | 1988-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吉里·德勞希;奧托·庫恩;安德烈亞斯·魯格 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/304 | 分類號(hào): | H01L21/304;B24B9/06;B24B19/02 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 肖掬昌,吳秉芬 |
| 地址: | 瑞士*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 功率 元件 薄片 邊緣 開環(huán) 方法 | ||
1、一種在半導(dǎo)體功率元件的半導(dǎo)體薄片(5)邊緣上開環(huán)形槽(8)的方法,該方法是靠機(jī)械磨削將槽刻在半導(dǎo)體薄片(5)上的,其特征在于:
甲)首先,表面磨削半導(dǎo)體薄片(5)的邊緣;
乙)然后,采用邊緣相應(yīng)制成一定輪廓的成形砂輪(3)一次操作磨削出溝槽。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在磨削半導(dǎo)體薄片(5)表面的過程中,
甲)第一步先用粗磨砂輪(1)磨除多余的半導(dǎo)體材料,
乙)第二步再用精磨砂輪(2)精磨已形成的邊緣表面。
3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,
甲)全部磨削操作均使用金剛石砂輪;且
乙)在磨削操作過程中采用加有防銹劑的水作為冷卻劑。
4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,
甲)粗磨砂輪(1)和成形砂輪(3)的金剛砂粒以金屬結(jié)合劑結(jié)合;
乙)將精磨砂輪(2)的金剛砂粒嵌入合成結(jié)合劑中。
5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,
甲)所有砂輪上金剛砂粒的濃度約為4.4克拉/立方厘米;
乙)粗磨砂輪(1)含25微米平均粒徑的金剛砂粒,精磨砂輪(2)含20微米平均粒徑的金剛砂粒,成形砂輪則含16微米平均粒徑的金剛砂粒。
6、根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所有砂輪(1,2,3)都配置在一公共砂輪軸(4)上。
7、根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,磨削操作是以35米/秒的磨削速率進(jìn)行的。
8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,
甲)在磨削過程中,半導(dǎo)體薄片(5)以相反于砂輪(1,2,3)的轉(zhuǎn)向轉(zhuǎn)動(dòng);和
乙)半導(dǎo)體薄片(5)的轉(zhuǎn)速約為80轉(zhuǎn)/分。
9、根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,在表面磨削過程中,半導(dǎo)體薄片(5)超出各砂輪(1,2)的邊緣平行于轉(zhuǎn)軸作往復(fù)運(yùn)動(dòng)。
10、根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,半導(dǎo)體薄片(5)朝砂輪進(jìn)給的速率,在粗磨時(shí)約為3毫米/分,在精磨時(shí)約為1毫米/分。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于BBC勃朗·勃威力有限公司,未經(jīng)BBC勃朗·勃威力有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/87107167/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:氣調(diào)包裝膜
- 下一篇:多層薄片邊緣搭接法及用此方法制造的管形里襯
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





