【主權(quán)項】：

1、一種化合物薄膜形成裝置，包括：保持有所定真空度的真空槽，設(shè)置在該真空槽內(nèi)的襯底，向這襯底噴出蒸鍍物質(zhì)的蒸氣、并產(chǎn)生上述蒸鍍物質(zhì)的塊狀原子團的蒸氣發(fā)生源，設(shè)置在該蒸氣發(fā)生源與所說襯底之間并使上述原子團的至少一部分電離的電離機構(gòu)，設(shè)置在該電離機構(gòu)與所說襯底之間并將通過上述電離機構(gòu)而被電離了的原子團以及設(shè)有電離的蒸鍍物質(zhì)的原子團及蒸氣向上述襯底碰撞的加速電極，其特征在于，該化合物薄膜形成裝置備有：設(shè)置在所說真空槽內(nèi)的內(nèi)部槽，設(shè)置在該內(nèi)部槽的內(nèi)側(cè)、用以噴射反應(yīng)性氣體的氣體噴射噴嘴，設(shè)置在該氣體噴射噴嘴的反應(yīng)性氣體的噴射方向上、用以引出電子束的電子束引出電極，設(shè)置在該電子束引出電極的反應(yīng)性氣體的噴射方向上、用以放出電子束的電子束放出機構(gòu)，在上述的內(nèi)部槽中，設(shè)置在所說電子束引出電極及所說電子束放出機構(gòu)的外側(cè)、用以對所說電子束引出電極和電子束放出機構(gòu)進行電位屏蔽的電場屏蔽板，設(shè)置在該電場屏蔽板與所說襯底之間、用以對上述電子束引出電極及所說電子束放出機構(gòu)進行正電位偏置、并且將上述反應(yīng)性氣體加速的加速電極。