[其他]化合物薄膜形成裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 87107161 | 申請(qǐng)日: | 1987-10-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN87107161A | 公開(公告)日: | 1988-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 伊藤弘基 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C14/30 | 分類號(hào): | C23C14/30;H01L49/02;H01L27/00 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理有限公司 | 代理人: | 葉凱東,吳秉芬 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化合物 薄膜 形成 裝置 | ||
1、一種化合物薄膜形成裝置,包括:保持有所定真空度的真空槽,設(shè)置在該真空槽內(nèi)的襯底,向這襯底噴出蒸鍍物質(zhì)的蒸氣、并產(chǎn)生上述蒸鍍物質(zhì)的塊狀原子團(tuán)的蒸氣發(fā)生源,設(shè)置在該蒸氣發(fā)生源與所說(shuō)襯底之間并使上述原子團(tuán)的至少一部分電離的電離機(jī)構(gòu),設(shè)置在該電離機(jī)構(gòu)與所說(shuō)襯底之間并將通過(guò)上述電離機(jī)構(gòu)而被電離了的原子團(tuán)以及設(shè)有電離的蒸鍍物質(zhì)的原子團(tuán)及蒸氣向上述襯底碰撞的加速電極,其特征在于,該化合物薄膜形成裝置備有:設(shè)置在所說(shuō)真空槽內(nèi)的內(nèi)部槽,設(shè)置在該內(nèi)部槽的內(nèi)側(cè)、用以噴射反應(yīng)性氣體的氣體噴射噴嘴,設(shè)置在該氣體噴射噴嘴的反應(yīng)性氣體的噴射方向上、用以引出電子束的電子束引出電極,設(shè)置在該電子束引出電極的反應(yīng)性氣體的噴射方向上、用以放出電子束的電子束放出機(jī)構(gòu),在上述的內(nèi)部槽中,設(shè)置在所說(shuō)電子束引出電極及所說(shuō)電子束放出機(jī)構(gòu)的外側(cè)、用以對(duì)所說(shuō)電子束引出電極和電子束放出機(jī)構(gòu)進(jìn)行電位屏蔽的電場(chǎng)屏蔽板,設(shè)置在該電場(chǎng)屏蔽板與所說(shuō)襯底之間、用以對(duì)上述電子束引出電極及所說(shuō)電子束放出機(jī)構(gòu)進(jìn)行正電位偏置、并且將上述反應(yīng)性氣體加速的加速電極。
2、權(quán)利要求1的化合物薄膜形成裝置,其特征在于,所說(shuō)電場(chǎng)屏蔽板與電子放出機(jī)構(gòu)的電位相同或被偏置,使它對(duì)于電子束放出機(jī)構(gòu)呈負(fù)電位。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





