[其他]半導體光控變容器無效
| 申請號： | 87103187 | 申請日： | 1987-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN87103187B | 公開（公告）日： | 1988-09-21 |
| 發明（設計）人： | 朱長純;劉君華 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | H01G9/20 | 分類號： | H01G9/20;H01L31/10 |
| 代理公司： | 西安交通大學專利事務所 | 代理人： | 徐文權 |
| 地址： | 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | 本發明公開一種半導體光控變容器，屬半導體光電子器件，是一種由光源控制的對光輻射敏感的半導體器件，具MINP四層結構，是以其兩端電壓為參變量的其兩端電容值隨光強變化的器件。具有如下各方面用途作為光敏可變電容二極管、變容式光控開關、光電耦合器、光控有源濾波器和光強一頻率變換器等。本器件工藝一般，且與集成電路工藝相容，易于制得復合功能的集成塊。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 光控 容器 | ||
【主權項】：
1.一種半導體光控變容器，該器件至少包括一個集電極〔2〕，一個N型外延層〔4〕，一個P型襯底〔5〕和一個發射極〔6〕，其特征在于，在集電極〔2〕和N型外延層〔4〕之間還設置絕緣層〔3〕，具有MINP四層結構；集電極〔2〕為柵狀電極；絕緣層〔3〕上具有增透膜〔1〕，增透膜〔1〕上有集電極〔2〕的引線孔〔7〕；該器件的電容值為光強I和偏置電壓Vec的函數。
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