1、一種半導體光控變?nèi)萜鳎撈骷辽侔ㄒ粋€集電極〔2〕，一個N型外延層〔4〕，一個P型襯底〔5〕和一個發(fā)射極〔6〕，其特征在于，在集電極〔2〕和N型外延層〔4〕之間還設置絕緣層〔3〕，具有MINP四層結構;集電極〔2〕為柵狀電極;絕緣層〔3〕上具有增透膜〔1〕;增透膜〔1〕上有集電極〔2〕的引線孔〔7〕;該器件的電容值為光強I和偏置電壓Vec的函數(shù)。

2、按權利要求1所記述的半導體光控變?nèi)萜鳎涮卣髟谟冢f的P型襯底〔5〕為〈100〉晶向、無位錯的、電阻率為0.08Ωcm以下的重摻雜的P型單晶硅，厚度為0.36至0.40mm;所說的N型外延層〔4〕為無層錯的電阻率為8至10Ωcm的外延層，厚度為8μm;所說的絕緣層〔3〕的厚度為95至105。

3、按權利要求1或2所記述的半導體光控變?nèi)萜鳎涮卣髟谟冢f的柵狀集電極〔2〕的厚度為3000;所說的增透膜〔1〕的厚度為650至750;所說的發(fā)射極〔6〕的厚度為3000;所封裝的管帽無頂，可透光。