[其他]制造陰極射線管的方法無效
| 申請號： | 87101270 | 申請日： | 1987-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN87101270A | 公開（公告）日： | 1988-07-06 |
| 發明（設計）人： | 伊藤武夫;松田秀三;吉迫守;八木修 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝;多摩化學工業株式會社 |
| 主分類號： | H01J9/24 | 分類號： | H01J9/24;H01J29/89;H01J29/88 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 杜月新 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 根據本發明，通過主要由縮合硅酸烷基酯構成的聚烷基硅氧烷的縮合反應，在陰極射線管(1)屏盤(2)上形成一層SiO2薄膜，從而容易地形成一層高粘結強度的抗靜電/防反射薄膜(3)。結果，能適當地設定形成抗靜電/防反射薄膜(3)的燒結條件。抗靜電效果得到進一步增強，外光反射減小而工作能力大大改善。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 制造 陰極射線管 方法 | ||
【主權項】：
一種制造陰極射線管(1)的方法，其特征包括以下步驟：在陰極射線管(1)的屏盤上被覆包含聚烷基硅氧烷的溶液，此聚烷基硅氧烷是在二聚物到六聚物的平均范圍內縮合硅酸烷基酯而得到的；以及縮合所得的聚烷基硅氧烷，從而在所述屏盤(2)上形成SiO2薄膜(3)。
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