[其他]制造陰極射線管的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87101270 | 申請日： | 1987-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN87101270A | 公開（公告）日： | 1988-07-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 伊藤武夫;松田秀三;吉迫守;八木修 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社東芝;多摩化學(xué)工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01J9/24 | 分類號： | H01J9/24;H01J29/89;H01J29/88 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 杜月新 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 陰極射線管 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
一種制造陰極射線管(1)的方法，其特征包括以下步驟：
在陰極射線管(1)的屏盤上被覆包含聚烷基硅氧烷的溶液，此聚烷基硅氧烷是在二聚物到六聚物的平均范圍內(nèi)縮合硅酸烷基酯而得到的；以及
縮合所得的聚烷基硅氧烷，從而在所述屏盤(2)上形成SiO2薄膜(3)。
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