[其他]半導體器件的制造方法無效
| 申請號： | 87100973 | 申請日： | 1987-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN87100973A | 公開（公告）日： | 1987-09-02 |
| 發明（設計）人： | 辻井勝己 | 申請（專利權）人： | 夏普公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京,肖掬昌 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 本發明是在半導體基片上設置由鋁或鋁合金所形成的電極或鍵合片的半導體器件的制造方法，在上述半導體基片上形成鋁膜或鋁合金膜后，在經熱處理工序之前，將上述由鋁或鋁合金所形成的電極或鍵合片表面，用蝕刻液予以蝕刻，使其表面均勻地粗糙化，其特征為若在熱處理前實行上述的表面處理，則不僅能防止鋁電極表面的變色，而且能將表面均勻刻蝕使其粗糙化，所以在用自動引線接合裝置進行鍵合時，能大幅度提高電極部分對圖型的識別性。而且能確定電極部分中心，以確定鍵合片的正確位置。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
【主權項】：
1、一種半導體器件的制造方法，是采用在半導體基片上設置由鋁或鋁合金所形成的電極或鍵合片的半導體器件的制造方法，其特征在于所述的半導體基片上進行鋁或鋁合金的淀積后，在經熱處理工序之前，將上述由鋁或鋁合金所形成的電極或鍵合片表面，用蝕刻液進行蝕刻，使之成為均勻的粗糙表面。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
