[其他]半導體器件的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87100973 | 申請日： | 1987-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN87100973A | 公開（公告）日： | 1987-09-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 辻井勝己 | 申請（專利權）人： | 夏普公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京,肖掬昌 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種半導體器件的制造方法，是采用在半導體基片上設置由鋁或鋁合金所形成的電極或鍵合片的半導體器件的制造方法，其特征在于所述的半導體基片上進行鋁或鋁合金的淀積后，在經(jīng)熱處理工序之前，將上述由鋁或鋁合金所形成的電極或鍵合片表面，用蝕刻液進行蝕刻，使之成為均勻的粗糙表面。
2、根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于所用的蝕刻液是氫氟酸或氟化銨的水溶液，或為上述兩種的混合液。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
