[其他]表面改性用高能寬束發散場考夫曼離子源無效
| 申請號： | 86201075 | 申請日： | 1986-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN86201075U | 公開（公告）日： | 1986-12-31 |
| 發明（設計）人： | 馮毓材 | 申請（專利權）人： | 中國科學院空間中心 |
| 主分類號： | H01J37/08 | 分類號： | H01J37/08 |
| 代理公司： | 中國科學院專利事務所 | 代理人： | 戊志敏 |
| 地址： | 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一種表面改性用高能寬束發散場考夫曼離子源，放電室外部有絕緣陶瓷和處于正高電位的后蓋板，控制后極靴和陰極伸進放電室的長度得到發散場，并提高了離子源的引出電壓。本離子源，結構緊湊、簡單、效率高；可以直接加速離子到達離子注入所需要的高能量。在材料表面處理中可以提高金屬表面的硬度、耐磨性、抗腐蝕性和抗疲勞性，并對基體外形尺寸無明顯影響。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 表面 改性 高能 束發 散場 考夫曼 離子源 | ||
【主權項】：
1.一種表面改性用高能寬束發散場考夫曼離子源由放電室、絕緣子和加速系統組成，本實用新型的特征是考夫曼源的外部有絕緣套管12處于正高電位的后蓋板1，離子源的出口法蘭13。
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