[其他]表面改性用高能寬束發散場考夫曼離子源無效
| 申請號： | 86201075 | 申請日： | 1986-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN86201075U | 公開（公告）日： | 1986-12-31 |
| 發明（設計）人： | 馮毓材 | 申請（專利權）人： | 中國科學院空間中心 |
| 主分類號： | H01J37/08 | 分類號： | H01J37/08 |
| 代理公司： | 中國科學院專利事務所 | 代理人： | 戊志敏 |
| 地址： | 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 表面 改性 高能 束發 散場 考夫曼 離子源 | ||
【權利要求書】：
1.一種表面改性用高能寬束發散場考夫曼離子源由放電室、絕緣子和加速系統組成，本實用新型的特征是考夫曼源的外部有絕緣套管12處于正高電位的后蓋板1，離子源的出口法蘭13。
2.按權利要求1所述的考夫曼離子源其特征為后極靴4伸進放電室部分是放電室總長的1/8～1/5，陰極5伸進放電室部分是放電室總長的3/7～5/7。
3.按權利要求1所述的考夫曼離子源其特征為柵極采用具有正高壓引出柵3和負高壓抑制柵的單孔引出系統。
4.按權利要求1所述的考夫曼離子源其特征為絕緣子的連接螺釘21要放在絕緣子本體內，并與絕緣子端有一間隙。
5.按權利要求1、4所述的考夫曼離子源其特征為付抑制柵20與絕緣子本體之間的距離為0＜ΔL＜10毫米，(L1×2+L2)×n＞2L。
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