[其他]圖象讀取光檢測器及其制作方法和裝置無效
| 申請號: | 86108452 | 申請日: | 1986-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN86108452A | 公開(公告)日: | 1987-09-23 |
| 發明(設計)人: | 廣岡政昭;石原俊一;半那純一;清水勇 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 李強 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 改進的圖象讀取光檢測器,它具有所需的光電轉換層。該轉換層是通過在無等離子體的條件下采用能對淀積膜的形成有所貢獻的物質和電子氧化劑而制備的。本發明涉及用于制備該改進圖象讀取光檢測器的方法和設備。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 圖象 讀取 檢測器 及其 制作方法 裝置 | ||
【主權項】:
1、改進的圖象讀取光檢測器,它包括:用于圖象讀取光檢測器的基底、光電轉換層和與該光電轉換層電連接的電極;上述光電轉換層的制作是通過:把(1)能構成所述層的一種組分但若保持在其初始能量狀態就不或幾乎不能對形成所述層有所貢獻的一種氣態物質、(2)具有使物質(1)電子氧化的特性的一種氣態物質,分別經各自的氣體輸送空間輸送到膜形成空間中,該膜形成空間中設有被保持在預定溫度的基底,并使這兩種物質(1)和(2)在無等離子體的條件下在基底表面上方的空間中相互化學接觸,從而產生包含受激初級物的多種初級物并使這些初級物中的至少一種被用于形成所述層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





