[其他]圖象讀取光檢測器及其制作方法和裝置無效
| 申請號: | 86108452 | 申請日: | 1986-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN86108452A | 公開(公告)日: | 1987-09-23 |
| 發明(設計)人: | 廣岡政昭;石原俊一;半那純一;清水勇 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 李強 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖象 讀取 檢測器 及其 制作方法 裝置 | ||
1、改進的圖象讀取光檢測器,它包括:用于圖象讀取光檢測器的基底、光電轉換層和與該光電轉換層電連接的電極;上述光電轉換層的制作是通過:把(1)能構成所述層的一種組分但若保持在其初始能量狀態就不或幾乎不能對形成所述層有所貢獻的一種氣態物質、(2)具有使物質(1)電子氧化的特性的一種氣態物質,分別經各自的氣體輸送空間輸送到膜形成空間中,該膜形成空間中設有被保持在預定溫度的基底,并使這兩種物質(1)和(2)在無等離子體的條件下在基底表面上方的空間中相互化學接觸,從而產生包含受激初級物的多種初級物并使這些初級物中的至少一種被用于形成所述層。
2、如權利要求1的改進圖象讀取光檢測器,其中氣態物質(1)含有能給出的n型雜質或P型雜質的初始物質。
3、按照權利要求1所述的改進圖象讀取光檢測器,其中所述的光電轉換層是由一種含有硅原子及至少一種選自氫原子和鹵素原子的原子的非單晶材料構成。
4、按照權利要求3所述的改進圖象讀取光檢測器,其中所述的該層還包括至少一種選自鍺原子或錫原子的原子。
5、按照權利要求1所述的改進圖象讀取光檢測器,其中的光電轉換層是一種多層結構。
6、按照權利要求3所述的改進圖象讀取光檢測器,其中所述的層是一種多層結構。
7、按照權利要求5所述的改進圖象讀取光檢測器,其中的光電轉換層具有這樣的一層,該層包含至少一種從氧原子、碳原子和氮原子中選出的原子,此外還有硅原子和至少一種從氫原子和鹵素原子中選出的原子,以及接續的一層,這層不含有任何氧原子、碳原子或氮原子,但是含有硅原子和至少一種從氫原子和鹵素原子中選出的原子,其順序從基底側算起。
8、按照權利要求6所述的改進圖象讀取光檢測器,其中所述的層具有這樣一層,它含有至少一種從氫原子、碳原子和氮原子中選出的原子,此外還有硅原子和至少一種從氫原子和鹵素原子中選出的原子,以及接續的一層,它不含有任何氧原子、碳原子或氮原子,但是含有硅原子和至少一種從氫原子和鹵素原子中選出的原子,其順序從基底側算起。
9、按照權利要求5所述的改進圖象讀取光檢測器,其中的一種多層結構的光電轉換層是在形成各層過程中通過改變形成膜的速度連續地形成多層而構成的。
10、按照權利要求6所述的改進圖象讀取光檢測器,其中多層結構的該層是在形成各層過程中通過改變形成膜的速度連續地形成多層而構成的。
11、按照權利要求10所述的改進圖象讀取光檢測器,其中所述層是在較高的膜形成速度下形成的,以及接續的一層是在較低的膜形成速度下形成的。
12、改進的圖象讀取光檢測器的制造方法,該光檢測器包括:圖象讀取光檢測器的基底、光電轉換層、和與該光電轉換層電連接的電極,該光檢測器制造方法包括:把(1)能構成所要淀積的膜的組分但若處在其初始能量狀態就不能或很難對所述膜的形成有所貢獻的氣態物質、和(2)具有使氣態物質(1)電子氧化的特性的一種氣態物質,分別經各自的氣體輸送空間輸送到膜形成空間,該空間中設有被保持在預定溫度的所述基底,并使上述兩種物質(1)和(2)在無等離子體的條件下在基底表面上方的空間中相互化學接觸,從而產生包含受激初級物的多種初級物,并使這些初級物中的至少一種被用于形成該光電轉換層。
13、按照權利要求12所述的改進圖象讀取光檢測器制備方法,其中的氣態物質(1)中含有硅原子。
14、按照權利要求12所述的改進圖象讀取光檢測器制備方法,其中的氣態物質(1)含有硅原子和用于P型雜質的化學元素,或用于n型雜質的化學元素。
15、按照權利要求12所述的改進圖象讀取光檢測器制備方法,其中氣態物質(2)是由下述物質中選出的一種或多種物質,這組物質包括鹵素氣體、初生的鹵素、含有氧原子的氣體、含有碳原子的氣體和含有氮原子的氣體。
16、按照權利要求12所述的改進圖象讀取光檢測器制備方法,其中物質(1)和(2)的化學接觸以及沉積膜的形成是在發生熒光的環境下實現的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





