[其他]垂直倒相器電路無效
| 申請號: | 86108046 | 申請日: | 1986-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN86108046A | 公開(公告)日: | 1987-07-01 |
| 發明(設計)人: | 阿什溫·H·薩;巴拉布·K·查特爾基 | 申請(專利權)人: | 得克薩斯儀器公司 |
| 主分類號: | H01L27/08 | 分類號: | H01L27/08 |
| 代理公司: | 上海專利事務所 | 代理人: | 馮曉明,魏文忠 |
| 地址: | 美國得克薩*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 本發明實施例中包括一種垂直倒相器(31,32,33)。在一塊N型襯底的表面,形成一層P型材料層,再依次形成一層N型層;一層P型層;一層N型和一層P型層(在制備過程中,可以摻各種不同的雜質,這并不超出本發明的范疇)。再沿著以上述方法形成的疊層的一側蝕刻一條溝槽,在P型和N型層的中間形成一接線端。再形成另一溝槽,其中有一柵極絕緣體和一柵極(A,B)。該柵極作為以上述方法形成的N型溝道和P型溝道晶體管的柵極。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 垂直 倒相器 電路 | ||
【主權項】:
1、一種集成電路電子器件,本發明的特征在于,該器件包括:一個第一導電類型的襯底;一個第二導電類型的第一溝道層,溝道層形成在所述襯底的表面;一個所述第一導電類型的第一漏極層,此漏極層形成在所述第一溝道的層表面;一個所述第二導電類型的第二漏極層,此漏極層形成在所述第一漏極層的表面;一個所述第一導電類型的第二溝道層,此溝道層形成在所述第二漏極的層表面;一個所述第二導電類型的源極層,此源極層形成在所述第二溝道層的表面;一個導電的柵極,垂直地布置在一個和所述第一和第二溝道層,所述第一和第二漏極層以及所述源極層的平面相垂直的邊緣上,并和這些層相鄰,其中所述柵極與所述層之間互相絕緣;一個導電區與所述第一和第二漏極層相連接。
下載完整專利技術內容需要扣除積分,VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于得克薩斯儀器公司,未經得克薩斯儀器公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/patent/86108046/,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:汽車靜壓轉向裝置
- 下一篇:核反應堆的探測器導向管裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





