[其他]垂直倒相器電路

無效

• 申請號: 86108046
• 申請日: 1986-10-28
• 公開（公告）號: CN86108046A
• 公開（公告）日: 1987-07-01
• 發明（設計）人: 阿什溫·H·薩;巴拉布·K·查特爾基
• 申請（專利權）人: 得克薩斯儀器公司
• 主分類號: H01L27/08
• 分類號: H01L27/08
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 馮曉明,魏文忠

1、一種集成電路電子器件，本發明的特征在于，該器件包括：

一個第一導電類型的襯底；

一個第二導電類型的第一溝道層，溝道層形成在所述襯底的表面；

一個所述第一導電類型的第一漏極層，此漏極層形成在所述第一溝道的層表面；

一個所述第二導電類型的第二漏極層，此漏極層形成在所述第一漏極層的表面；

一個所述第一導電類型的第二溝道層，此溝道層形成在所述第二漏極的層表面；

一個所述第二導電類型的源極層，此源極層形成在所述第二溝道層的表面；

一個導電的柵極，垂直地布置在一個和所述第一和第二溝道層，所述第一和第二漏極層以及所述源極層的平面相垂直的邊緣上，并和這些層相鄰，其中所述柵極與所述層之間互相絕緣；

一個導電區與所述第一和第二漏極層相連接。

2、根據權利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述第一導電類型是P型，第二導電類型是N型。

3、根據權利要求1所述的器件，其特征在于，其中一電源電壓加在所述源極層上，而在所述襯底上加一參考電壓。

4、根據權利要求3所述的器件，其特征在于，其中一個輸入信號加在所述柵極上，一個輸出信號提供給所述導電區。

5、多個集成電子器件形成在第一導電類型的一塊襯底上，本發明的特征在于，每一器件包括：

一個第二導電類型的第一溝道層，該溝道層形成在所述襯底的表面上;

一個所述第一導電類型的第一漏極層，該漏極層形成在所述第一溝道層的表面上;

一個所述第二導電類型的第二漏極層，該漏極層形成在所述第一漏極層的表面上;

一個所述第一導電類型的第二溝道層，形成在所述第二漏極層的表面上;

一個所述第二導電類型的源極層，形成在所述第二溝道層的表面上;

一個導電柵極垂直地布置在一個與所述第一和第二溝道層，所述第一和第二漏極層以及所述源極層的平面垂直的一個邊緣上并與這些層相鄰，其中，所述柵極和所述層相互絕緣;

一個導電區和所述第一和第二漏極層相連接，其中，所述導電區和經選擇的單元中的一個相鄰的單元的導電柵極相連接。

6、根據權利要求5所述的多個器件，其特征在于，其中所述第一導電類型是P型，所述第二導電類型是N型。

7、根據權利要求5所述的多個器件，其特征在于，其中所述源極層上加上一個電源電壓，所述襯底上加上一個參考電壓。

8、根據權利要求7所述的一個器件，其特征在于，其中一個輸入信號加在所述柵極上，一個輸出信號提供給所述導電區。

9、一種集成電子器件，本發明的特征在于，該器件包括：

一個第一導電類型的單晶硅襯底;

一個第二導電類型的第一單晶硅溝道層，該溝道層形成在所述襯底的表面上;

一個所述第一導電類型的第一單晶硅漏極層，該漏極層形成在所述第一溝道層表面上;

一個所述第二導電類型的第二單晶硅漏極層，該漏極層形成在所述第一漏極層的表面上;

一個所述第一導電類型的第二單晶硅溝道層，形成在所述第二漏極層的表面上;

一個所述第二導電類型的單晶硅源極層，形成在所述第二溝道層的表面上;

一個鎢柵極，垂直地布置在一個邊緣上，該邊緣和所述第一和第二溝道層，所述第一和第二漏極層和所述源極層的平面相垂直并和各該層相鄰，其中，所述柵極和所述層相絕緣;

一個鎢區和所述第一和第二漏極層相連接。

10、根據權利要求9所述的器件，其特征在于，其中，所述第一導電類型是P型，第二導電類型是N型。