[其他]高清晰陽極化的內(nèi)層界面無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86107669 | 申請日： | 1986-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN86107669A | 公開（公告）日： | 1987-07-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 埃爾頓·杰·佐倫斯基;大衛(wèi)·彼·斯布萊特 | 申請（專利權(quán)）人： | 得克薩斯儀器公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海專利事務(wù)所 | 代理人： | 曹磊 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體島區(qū)(54)和隔離內(nèi)層(50)之間具有渡越厚度小于1500埃的高清晰度界面。為了生成這種結(jié)構(gòu)，在復(fù)合外延層(54)和N+內(nèi)層(50)上開槽(62)。內(nèi)層(50)被在高壓和低溫條件下陽極化和氧化處理，以減少N+雜質(zhì)的上擴(kuò)散進(jìn)入外延層(54)。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 清晰 陽極 內(nèi)層 界面 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種制造硅半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括下列各步驟；在基片上生成可進(jìn)行選擇的可陽極氧化的材料層；在上述可進(jìn)行陽極氧化層上生成一外延層；陽極氧化處理可陽極氧化層以生成多孔材料；通過將該結(jié)構(gòu)處在高壓和低溫氧化處理環(huán)境下進(jìn)行氧化處理上述的多孔材料，使上述的多孔層在雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入外延層之前氧化處理。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
