[其他]高清晰陽極化的內層界面

無效

• 申請號: 86107669
• 申請日: 1986-12-04
• 公開（公告）號: CN86107669A
• 公開（公告）日: 1987-07-15
• 發明（設計）人: 埃爾頓·杰·佐倫斯基;大衛·彼·斯布萊特
• 申請（專利權）人: 得克薩斯儀器公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/76
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 曹磊

1、一種制造硅半導體結構的方法，包括下列各步驟；

在基片上生成可進行選擇的可陽極氧化的材料層；

在上述可進行陽極氧化層上生成一外延層；

陽極氧化處理可陽極氧化層以生成多孔材料；

通過將該結構處在高壓和低溫氧化處理環境下進行氧化處理上述的多孔材料，使上述的多孔層在雜質擴散進入外延層之前氧化處理。

2、如權利要求1所述的方法，其特征在于所述的氧化處理的溫度低于900℃。

3、如權利要求1所述的方法，其特征在于所述的氧化處理溫度大約是850℃。

4、如權利要求1所述的方法，其特征在于所述的壓力是5到25個大氣壓。

5、如權利要求1所述的方法，其特征在于所述的壓力是10個大氣壓。

6、如權利要求1所述的方法，其特征在于所述的可陽極氧化層是被用基本上均勻濃度的雜質沉積。

7、一種制造半導體結構的方法，包括下列步驟;

在一N型硅基片上外延生長一層重摻雜N+半導體材料層;

在所述的重摻雜N+層上外延生長一輕摻雜濃度的N-層;

從上述的輕摻雜N-層的表面到上述的基片通過上述外延層開槽;

陽極氧化處理上述的重摻雜N+層，從而生成一多孔的半導體材料層;

在低于900℃的溫度大于5個大氣壓的條件下氧化處理上述的半導體材料的多孔層，從而生成二氧化硅的復合層;

用隔離氧化物填充上述槽。

8、如權利要求7所述的方法，其特征在于上述氧化作用的溫度丈大約是850℃。

9、如權利要求7所述的方法，其特征在于上述的壓力保持在5到25個大氣壓之間。

10、如權利要求7所述的方法，其特征進一步包括在陽極化處理之前預先蝕刻有槽的側壁和底部。

11、如權利要求10所述的方法，其特征在于上述的預蝕刻處理包括在給陽極氧化處理溶液通電前先把基片在陽極化溶液中浸沒一段時間。

12、如權利要求7所述的方法，其特征進一步包括在上述的輕摻雜N-層上生成一氮化硅層。

13、一種具有隔離島區的半導體結構，包括：

在所述內層四周和上面的具有預定摻雜濃度的外延硅島區;

在上述的二氧化硅隔離內層和上述外延層之間的具有摻雜渡越區厚度小于幾百埃的邊界區域。

14、如權利要求13所述的半導體結構，其特征在于上述的邊界區域的摻雜濃度是每立方厘米10¹⁶個原子到每立方厘米10¹⁸或10¹⁹個原子。

15、如權利要求13所述的半導體結構，其特征在于上述的渡越區厚度小于1500埃。

16、如權利要求13所述的半導體結構，其特征在于上述的渡越區厚度小于500埃。