[其他]鐵硅鋁合金磁膜及其制造方法和迭層薄膜磁頭無效
| 申請號： | 86106790 | 申請日： | 1986-10-07 |
| 公開（公告）號： | CN86106790A | 公開（公告）日： | 1987-07-15 |
| 發明（設計）人： | 齋藤和宏;森泰一 | 申請（專利權）人： | 日本礦業株式會社 |
| 主分類號： | H01F10/14 | 分類號： | H01F10/14;H01F41/22;G11B5/62 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 王以華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 本發明涉及鐵硅鋁合金磁膜及其制造方法和迭層薄膜磁頭。所述磁膜有一基底和在其上形成的鐵硅鋁合金膜。所述基底的熱膨脹系數比上述鐵硅鋁合金膜的低。將上述合金膜的氬含量控制在0.01至0.3％重量比的范圍內，以使膜中的內應力基本為零。通過用DC濺射裝置向基底提供RF偏壓并控制組分的重量比來淀積上述磁膜。用本發明的磁膜制造的迭層薄膜磁頭具有矯頑力低、導磁率高的良好磁性能。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 鋁合金 及其 制造 方法 薄膜 磁頭 | ||
【主權項】：
1、一種鐵硅鋁合金磁膜，它是具有基片以及在基片上形成的鐵硅鋁合金膜的磁膜，其特征在于：上述基片的熱膨脹系數小于上述鐵硅鋁合金膜的熱膨脹系數，把膜中的含氬量控制在0.01～0.3%重量比的范圍內，以便使上述鐵硅鋁合金膜內的內部應力實際上降到零。
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