[其他]鐵硅鋁合金磁膜及其制造方法和迭層薄膜磁頭

無效

• 申請號: 86106790
• 申請日: 1986-10-07
• 公開（公告）號: CN86106790A
• 公開（公告）日: 1987-07-15
• 發明（設計）人: 齋藤和宏;森泰一
• 申請（專利權）人: 日本礦業株式會社
• 主分類號: H01F10/14
• 分類號: H01F10/14;H01F41/22;G11B5/62
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 王以華

1、一種鐵硅鋁合金磁膜，它是具有基片以及在基片上形成的鐵硅鋁合金膜的磁膜，其特征在于：上述基片的熱膨脹系數小于上述鐵硅鋁合金膜的熱膨脹系數，把膜中的含氬量控制在0.01～0.3%重量比的范圍內，以便使上述鐵硅鋁合金膜內的內部應力實際上降到零。

2、權利要求1所述的鐵硅鋁合金磁膜，其特征在于：基片的熱膨脹系數為100～135×10^-7度^-1，鐵硅鋁合金膜為含鐵85%重量比或以上的混合物，其磁飽和的水平較高，合金膜的熱膨脹系數為110～170×10^-7度^-1。

3、權利要求1或2所述的鐵硅鋁合金膜，其特征在于：基片為結晶玻璃，鐵硅鋁合金膜的組成為83～94%重量比的鐵、4～11%重量比的硅以及2～6%重量比的鋁。

4、一種鐵硅鋁合金磁膜的制造方法，其特征在于：用直流濺射裝置把射頻偏置加到基片上，在上述基片上沉積一層鐵硅鋁合金膜，上述合金膜的熱膨脹系數比上述基片的高，在上述合金膜中的氬含量被控制在0.01～0.3%重量比的范圍內，將上述合金膜中的內部應力基本上降為零。

5、權利要求4所述的鐵硅鋁合金磁膜的制造方法，其特征在于：基片的熱膨脹系數為100～135×10^-7度^-1，鐵硅鋁合金膜為含鐵重量比83%或以上的混合物，其磁飽和水平較高，合金膜的熱膨脹系數為110～170×10^-7度^-1。

6、權利要求4或5所述的鐵硅鋁合金磁膜的制造方法，其特征在于：基片為結晶玻璃，鐵硅鋁合金膜的組成為83～94%重量比的鐵、4-11%重量比的硅和2～6%重量比的鋁。

7、一種薄膜迭層磁頭，它包括兩個相對的基片以及交替迭層在其間的鐵硅鋁合金膜和非磁性絕緣膜，其特征在于：上述基片的熱膨脹系數比上述鐵硅鋁合金膜的熱膨脹系數小，上述合金膜中俘獲的氬含量被控制在0.01～0.3%重量比的范圍內，以便使上述合金膜中的內部應力基片上降到零。

8、權利要求7所述的薄膜迭層磁頭，其中，上述基片的熱膨脹系數為100～135×10^-7度^-1，上述鐵硅鋁合金膜中鐵的重量比為83%或更多，其磁飽和水平較高，合金膜的熱膨脹系數為110～170×10^-7度^-1。

9、權利要求7或8所述的薄膜迭層磁頭，其中，上述基片由結晶玻璃構成，上述鐵硅鋁合金膜為含鐵83～94%重量比、硅4～11%重量比及鋁2～6%重量比的混合物。